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2017 年度 実績報告書

計算科学によるヘテロボンドの理論的材料設計

計画研究

研究領域特異構造の結晶科学:完全性と不完全性の協奏で拓く新機能エレクトロニクス
研究課題/領域番号 16H06418
研究機関三重大学

研究代表者

伊藤 智徳  三重大学, 工学研究科, 教授 (80314136)

研究分担者 秋山 亨  三重大学, 工学研究科, 准教授 (40362363)
平松 和政  三重大学, 工学研究科, 教授 (50165205)
河村 貴宏  三重大学, 工学研究科, 助教 (80581511)
寒川 義裕  九州大学, 応用力学研究所, 教授 (90327320)
研究期間 (年度) 2016-06-30 – 2021-03-31
キーワード計算科学 / 特異構造 / 窒化物半導体 / 極性反転 / 組成変調 / 自然超格子 / 量子ドット
研究実績の概要

平成29年度は,前年度に開発,導入した計算手法を実験グループとの共通検討課題に適用し,妥当性を検証するとともに,実験グループとの連携研究を中心に実施した。具体的には,A01-2班(三宅グループ)との連携研究として,(1)GaN表面のファセット形成,(2)AlN界面の極性反転等の個別課題について,さらにB02-2班(秩父グループ)との連携研究として,(3)AlInN成長過程での複合課題について検討を進めた。また(4)III族窒化物における原子層物質形成可能性について検討を行った。以下に詳細を示す。
(1)表面における特異構造安定性を定量的に評価するための表面エネルギー計算手法を,GaN半極性表面に適用,安定性を評価することで,低H2圧力下では{11-20}]面が,高H2圧力下では{11-22}面が安定化されることを見いだし,MOVPE成長における表面ファセット形成の実験結果と一致する結果を得た。
(2)界面における特異構造安定性を定量的に評価するための界面エネルギー計算手法を,前年度検討したSiC基板に加え,新たにAlN基板上での極性反転および酸素起因極性反転へと適用して,その物理的起源を明らかにした。また,さらに温度および圧力の関数として状態図を作成することにより,実験結果と計算結果を直接的に比較することに成功した。
(3)非平衡量子熱力学を結晶成長素過程解析に世界で初めて適用し,窒化物半導体表面上でのNH3の付着係数の時間発展を明らかにし,AlInN薄膜形成初期の疑似格子整合領域において新奇特異構造としての自然超格子形成の可能性,成長温度領域でも有為な規則度が保たれることを見いだした。
(4)Ag(111)基板上のIII族窒化物における2次元原子層物質形成の臨界膜厚を評価し,膜厚はイオン性に依存して変化すること,GaNに比べてAlN,InNがより安定であることを明らかにした。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

1: 当初の計画以上に進展している

理由

当初計画にある特異構造の安定性に関する検討に加えて,新規計算手法の開発,導入を実施するとともに,特に実験グループとの連携を進めて着実に成果を得ている。これら今年度研究実績の基盤となる表面構造状態図に基づく解析については,海外開催国際会議2件,国内学会,研究会(応用物理学会他)6件の招待講演を実施する等,全般的に高い評価を得ている。
さらに研究実績(3)の成果は,非平衡量子熱力学の結晶成長への適用が国際共著論文としてオープンアクセス誌(Materials)に公表,第46回結晶成長国内会議に於いて学生ポスター賞を受賞している。また新奇特異構造としての自然超格子形成に関する成果は,国際会議(LEDIA'18)における招待講演に選ばれ,第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会において発表奨励賞受賞に至っており,特筆すべき成果として当初計画以上に進展していると判断できる。

今後の研究の推進方策

今後は,これまでの検討に加えて新たに(1)非平衡量子熱力学の「不純物混入の物理モデル構築」への適用,(2)様々な面方位あるいは表面でのステップ形成を考慮した「表面、界面、ナノ構造における特異構造創成の検討」を,計算手法の開発とともに推進する予定である。また,実験グループとも緊密に連携しながら,これら特異構造創成指針の確立に注力する。さらに,第一原理計算,統計力学,非平衡量子熱力学に基づいた,実験グループとの協働による新学理構築への研究プラットフォーム構築に向けた検討を開始する。

  • 研究成果

    (71件)

すべて 2018 2017 その他

すべて 国際共同研究 (2件) 雑誌論文 (20件) (うち国際共著 5件、 査読あり 19件、 オープンアクセス 2件) 学会発表 (48件) (うち国際学会 28件、 招待講演 8件) 学会・シンポジウム開催 (1件)

  • [国際共同研究] バージニア工科大学(米国)

    • 国名
      米国
    • 外国機関名
      バージニア工科大学
  • [国際共同研究] ポーランドアカデミー高圧力物理学研究所(ポーランド)

    • 国名
      ポーランド
    • 外国機関名
      ポーランドアカデミー高圧力物理学研究所
  • [雑誌論文] Reaction mechanisms at 4H-SiC/SiO2 interface during wet SiC oxidation2018

    • 著者名/発表者名
      Akiyama Toru、Hori Shinsuke、Nakamura Kohji、Ito Tomonori、Kageshima Hiroyuki、Uematsu Masashi、Shiraishi Kenji
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 ページ: 04FR08~04FR08

    • DOI

      10.7567/jjap.57.04fr08

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effects of lattice constraint on structures and electronic properties of BAlN and BGaN alloys: A first-principles study2018

    • 著者名/発表者名
      Akiyama Toru、Nakamura Kohji、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 11 ページ: 025501~025501

    • DOI

      10.7567/apex.11.025501

    • 査読あり
  • [雑誌論文] DFT modeling of carbon incorporation in GaN(0001) and GaN(000-1) metalorganic vapor phase epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      Kempisty Pawel、Kangawa Yoshihiro、Kusaba Akira、Shiraishi Kenji、Krukowski Stanislaw、Bockowski Michal、Kakimoto Koichi、Amano Hiroshi
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 111 ページ: 141602~141602

    • DOI

      10.1063/1.4991608

    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Modeling the Non-Equilibrium Process of the Chemical Adsorption of Ammonia on GaN(0001) Reconstructed Surfaces Based on Steepest-Entropy-Ascent Quantum Thermodynamics2017

    • 著者名/発表者名
      Kusaba Akira、Li Guanchen、von Spakovsky Michael、Kangawa Yoshihiro、Kakimoto Koichi
    • 雑誌名

      Materials

      巻: 10 ページ: 948~948

    • DOI

      10.3390/ma10080948

    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著
  • [雑誌論文] Theoretical investigations on the stability and electronic structures of two-dimensional group-IV ternary alloy monolayers2017

    • 著者名/発表者名
      Akiyama Toru、Yoshimura Go、Nakamura Kohji、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Journal of Vacuum Science & Technology B

      巻: 35 ページ: 04F103~04F103

    • DOI

      10.1116/1.4980048

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Effects of Polytypism on the Thermoelectric Properties of Group-IV Semiconductor Nanowires: A Combination of Density Functional Theory and Boltzmann Transport Calculations2017

    • 著者名/発表者名
      Akiyama Toru、Komoda Takato、Nakamura Kohji、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Physical Review Applied

      巻: 8 ページ: 024014-1~10

    • DOI

      10.1103/physrevapplied.8.024014

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Theoretical Investigations for Strain Relaxation and Growth Mode of InAs Thin Layers on GaAs(110)2017

    • 著者名/発表者名
      Ito Tomonori、Akiyama Toru、Nakamura Kohji
    • 雑誌名

      Physica Satus Solidi B

      巻: 印刷中 ページ: 1700241~1700241

    • DOI

      10.1002/pssb.201700241

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Structures and Polarity of III-Nitrides: Phase Diagram Calculations Using Absolute Surface and Interface Energies2017

    • 著者名/発表者名
      Akiyama Toru、Nakane Harunobu、Uchino Motoshi、Nakamura Kohji、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Physica Satus Solidi B

      巻: 印刷中 ページ: 1700329~1700329

    • DOI

      10.1002/pssb.201700329

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Systematic Theoretical Investigations for Crystal Structure Deformation in Group-III Nitrides: A First-Principles Study2017

    • 著者名/発表者名
      Tsuboi Yuma、Akiyama Toru、Nakamura Kohji、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Physica Satus Solidi B

      巻: 印刷中 ページ: 1700446~1700446

    • DOI

      10.1002/pssb.201700446

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Systematic Theoretical Investigations of Polytypism in AlN2017

    • 著者名/発表者名
      Ito Tomonori, AKiyama Toru, Nakamura Kohji
    • 雑誌名

      Physica Satus Solidi C

      巻: 印刷中 ページ: 1700212~1700212

    • DOI

      10.1002/pssc.201700212

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ab initio-based approach to novel behavior in semiconductor hetero-epitaxial growth2017

    • 著者名/発表者名
      Ito Tomonori、Akiyama Toru、Nakamura Kohji
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 477 ページ: 12~18

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2017.03.010

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Atomistic behaviour of ( n× 3)-reconstructed areas of InAs/GaAs(001) surface at the growth condition2017

    • 著者名/発表者名
      Konishi Tomoya、Tsukamoto Shiro、Ito Tomonoroi、Akiyama Toru、Kaida Ryo
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 477 ページ: 104~109

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2017.01.009

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Structures and stability of polar GaN thin films on ScAlMgO 4 substrate: An ab initio -based study2017

    • 著者名/発表者名
      Nakane Harunobu、Akiyama Toru、Nakamura Kohji、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 468 ページ: 93~96

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2016.09.019

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Theoretical study for misfit dislocation formation at InAs/GaAs(001) interface2017

    • 著者名/発表者名
      Kaida Ryo、Akiyama Toru、Nakamura Kohji、Ito Tomonori
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 468 ページ: 919~922

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2016.10.064

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Computational Materials Science for Molecular Beam Epitaxial Growth2017

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito
    • 雑誌名

      Proceedings of the 36th Symposium on Materials Science and Engineering

      巻: ー ページ: 7~16

  • [雑誌論文] Theoretical study of the composition pulling effect in InGaN metalorganic vapor-phase epitaxy growth2017

    • 著者名/発表者名
      Inatomi Yuya、Kangawa Yoshihiro、Ito Tomonori、Suski Tadeusz、Kumagai Yoshinao、Kakimoto Koichi、Koukitu Akinori
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 56 ページ: 078003~078003

    • DOI

      10.7567/jjap.56.078003

    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Thermodynamic analysis of (0001) and $(000\bar{1})$ GaN metalorganic vapor phase epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      Kusaba Akira、Kangawa Yoshihiro、Kempisty Pawel、Valencia Hubert、Shiraishi Kenji、Kumagai Yoshinao、Kakimoto Koichi、Koukitu Akinori
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 56 ページ: 070304~070304

    • DOI

      10.7567/jjap.56.070304

    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Structural study of GaN grown on nonpolar bulk GaN substrates with trench patterns2017

    • 著者名/発表者名
      Okada Shunsuke、Iwai Hiroki、Miyake Hideto、Hiramatsu Kazumasa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 56 ページ: 125504~125504

    • DOI

      10.7567/jjap.56.125504

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Thermodynamic foundations of applications of ab initio methods for determination of the adsorbate equilibria: hydrogen at the GaN(0001) surface2017

    • 著者名/発表者名
      Kempisty Pawel、Strak Pawel、Sakowski Konrad、Kangawa Yoshihiro、Krukowski Stanislaw
    • 雑誌名

      Physical Chemistry Chemical Physics

      巻: 19 ページ: 29676~29684

    • DOI

      10.1039/c7cp05214f

    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Effect of thermal annealing on AlN films grown on sputtered AlN templates by metalorganic vapor phase epitaxy2017

    • 著者名/発表者名
      Yoshizawa Ryo、Miyake Hideto、Hiramatsu Kazumasa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 57 ページ: 01AD05~01AD05

    • DOI

      10.7567/jjap.57.01ad05

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [学会発表] Theoretical investigations for strain relaxation and resultant growth mode in InAs/Gas heteroepitaxial system2018

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
    • 学会等名
      The 45th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces
    • 国際学会
  • [学会発表] Theory of GaN MOVPE process considering surface reconstruction2018

    • 著者名/発表者名
      Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, K. Kakimoto
    • 学会等名
      SPIE photonic west OPTO
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] BAlNおよびBGaN混晶における結晶構造および電子状態:基板拘束の影響2018

    • 著者名/発表者名
      秋山亨,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2018年春季第65回応用物理学会学術講演会
  • [学会発表] OVPE成長条件下におけるGaN表面構造およびO不純物の脱離エネルギーの解析2018

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏,北本啓,今出完,吉村政志,森勇介,森川良忠,寒川義裕,柿本浩一
    • 学会等名
      2018年春季第65回応用物理学会学術講演会
  • [学会発表] Theoretical investigations for strain relaxation and growth mode of InAs thin layers on GaAs(110)2017

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
    • 学会等名
      44th International Symposium on Compound Semiconductors
    • 国際学会
  • [学会発表] Effects of polytype and atomic arrangements on thermoelectric properties of SiGe nanowires: A combination of density functional theory and Boltzmann transport equation calculations2017

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Takato Komoda, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      10th Nanowire Growth Workshop
    • 国際学会
  • [学会発表] Systematic theoretical investigations of polytypism in AlN2017

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito, Toru Akiyama, Kohji Nakamura
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際学会
  • [学会発表] Structures and polarity of III-nitrides: Phase diagram calculations using absolute surface and interface energies2017

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Harunobu Nakane, Motoshi Uchino, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際学会
  • [学会発表] Role of oxygen atoms on polarity inversion of N-polar AlN buffer layers: A first-principles theory2017

    • 著者名/発表者名
      Motoshi Uchino, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際学会
  • [学会発表] Systematic theoretical investigations for crystal structure deformation in group-III nitrides: A first-principles study2017

    • 著者名/発表者名
      Yuma Tsuboi, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際学会
  • [学会発表] Density Functional Theory study on stability of carbon and oxygen at GaN(0001) and GaN(000-1) surfaces2017

    • 著者名/発表者名
      P. Kempisty, Y. Kangawa, K. Shiraishi, S. Krukowski, M. Bockowski, K. Kakimoto, H. Amano
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際学会
  • [学会発表] Thermodynamic analysis of InGaN MOVPE: influence of lattice constraint2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa, T. Ito, T. Suski, K. Kakimoto, A. Koukitu
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際学会
  • [学会発表] First-Principles Study of Non-Polar GaN Surfaces under the OVPE Growth Conditions2017

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
    • 学会等名
      The 12th International Conference on Nitride Semiconductors
    • 国際学会
  • [学会発表] Stability of graphitic structure in BAlN and BGaN alloy semiconductors2017

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Yuma Tsuboi, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      Advances in Functional Materials
    • 国際学会
  • [学会発表] Reaction mechanisms at 4H-SiC/SiO2 interface during wet SiC oxidation2017

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Shinnosuke Hori, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu, Kenji Shirashi
    • 学会等名
      2017 International Conference on Solid Devices and Materials
    • 国際学会
  • [学会発表] Steepest-entropy-ascent quantum thermodynamic modeling of NH3 chemical adsorption on GaN(0001) reconstructed surfaces under metalorganic vapor phase epitaxy conditions2017

    • 著者名/発表者名
      A. Kusaba, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, Y. Kangawa, K. Kakimoto
    • 学会等名
      E-MRS Fall Meeting
    • 国際学会
  • [学会発表] First-principles study of semipolar GaN (10-11) surfaces under oxide vapor phase epitaxy growth conditions2017

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Kawamura, Akira Kitamoto, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Yusuke Mori, Yoshitada Morikawa, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
    • 学会等名
      E-MRS Fall Meeting
    • 国際学会
  • [学会発表] Ab initio-based approach to epitaxial growth of III-nitrides and their alloys2017

    • 著者名/発表者名
      Tomonori Ito
    • 学会等名
      6th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Stability of the carbon and oxygen impurities in the subsurface layer near the polar GaN surface2017

    • 著者名/発表者名
      P. Kempisty, Y. Kangawa, K. Shiraishi, S. Krukowski, M. Bockowski, K. Kakimoto, H. Amano
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017
    • 国際学会
  • [学会発表] Thermodynamic Modeling of GaN MOVPE: Contribution of Surface State2017

    • 著者名/発表者名
      A. Kusaba, Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi, K. Kakimoto, A. Koukitu
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2017
    • 国際学会
  • [学会発表] Ab initio approach to polarity inversion of AlN caused by oxygen atoms2017

    • 著者名/発表者名
      Motoshi Uchino, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability
    • 国際学会
  • [学会発表] Ab initio study for structural transformation in group III-nitirides2017

    • 著者名/発表者名
      Yuma Tsuboi, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      International Conference on Materials and Systems for Sustainability
    • 国際学会
  • [学会発表] Structural stability and electronic structure of BAlN and BGaN alloy semiconductor: A first-principles study2017

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      International Workshop of UV Materials and Devices 2017
    • 国際学会
  • [学会発表] Abrupt polarity inversion of AlN for second harmonics generation in DUV region2017

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Hayashi, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Toru Akiyama, Tomonori Ito, Ryuji Katayama
    • 学会等名
      International Workshop of UV Materials and Devices 2017
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical study of composition pulling effect in AlGaN and AlInN MOVPE2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa, S. F. Chichibu, K. Kakimoto
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • 国際学会
  • [学会発表] Adsorption of ammonia in III-nitrides vapor phase epitaxy: theoretical approach based on steepest-entropy-ascent quantum thermodynamics2017

    • 著者名/発表者名
      A. Kusaba, G. Li, M. R. von Spakovsky, Y. Kangawa, K. Kakimoto
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • 国際学会
  • [学会発表] Molecular dynamics simulation of strain relaxation of AlN buffer layer2017

    • 著者名/発表者名
      Yusei Morimoto, Takahiro Kawamura, Yasuyuki Suzuki, Yoshihiro Kangawa, and Koichi Kakimoto
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • 国際学会
  • [学会発表] Structures and energetics of faceted inversion domain boundaries in GaN and AlN doped with Mg2017

    • 著者名/発表者名
      Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito
    • 学会等名
      2017 MRS Fall Meeting & Exhibit
    • 国際学会
  • [学会発表] 窒化物半導体結晶成長モデリングの現状と課題2017

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕, 白石賢二, 柿本浩一
    • 学会等名
      第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
    • 招待講演
  • [学会発表] NH3化学吸着の非平衡状態発展:最急エントロピー勾配量子熱力学モデリング2017

    • 著者名/発表者名
      草場 彰, Guanchen Li, Michael R. von Spakovsky, 寒川義裕, 柿本浩一
    • 学会等名
      第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
  • [学会発表] AlInN薄膜成長における格子不整合と組成取り込み効率の相関2017

    • 著者名/発表者名
      稲富悠也, 寒川義裕, 伊藤智徳, 柿本浩一
    • 学会等名
      第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
  • [学会発表] 分子動力学法によるAlNバッファ層のひずみ緩和シミュレーション2017

    • 著者名/発表者名
      森本由成,河村貴宏,鈴木泰之,寒川義裕,柿本浩一
    • 学会等名
      第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
  • [学会発表] OVPE法によるGaN成長における極性および非極性GaN表面構造の解析2017

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏,北本啓,今出完,吉村政志,森勇介,森川良忠,寒川義裕,柿本浩一
    • 学会等名
      第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
  • [学会発表] 4H-SiC/SiO2界面におけるウェット酸化反応過程に関する理論的検討2017

    • 著者名/発表者名
      堀真輔,秋山亨,中村浩次,伊藤智徳,影島博之,植松真司,白石賢二
    • 学会等名
      2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会
  • [学会発表] 2次元成長,3次元成長を分ける成長メカニズム2017

    • 著者名/発表者名
      伊藤智徳
    • 学会等名
      2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会
    • 招待講演
  • [学会発表] 高濃度Mg添加AlNおよびGaNにおけるインバージョンドメイン形成に関する理論的検討:界面エネルギーによる評価2017

    • 著者名/発表者名
      秋山亨,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会
  • [学会発表] III族窒化物二次元原子層膜の構造変形に関する理論的研究2017

    • 著者名/発表者名
      坪井佑磨,秋山亨,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会
  • [学会発表] N極性AlN層における酸素起因極性反転の理論的検討2017

    • 著者名/発表者名
      内野基,秋山亨,中村浩次,伊藤智徳
    • 学会等名
      2017年秋季第78回応用物理学会学術講演会
  • [学会発表] GaN(0001)におけるNH3吸着過程の非平衡量子熱力学モデリング:付着係数の理論解析2017

    • 著者名/発表者名
      草場 彰, G. Li, M. R. von Spakovsky, 寒川義裕, 柿本浩一
    • 学会等名
      第46回結晶成長国内会議
  • [学会発表] 第一原理計算を用いたOVPE成長中の半極性GaN表面構造の解析2017

    • 著者名/発表者名
      河村貴宏,北本啓,今出完,吉村政志,森勇介,森川良忠,寒川義裕,柿本浩一
    • 学会等名
      第46回結晶成長国内会議
  • [学会発表] GaN MOVPEにおける結晶成長プロセスの理論解析2017

    • 著者名/発表者名
      寒川義裕, 芳松克則, 白石賢二, 柿本浩一
    • 学会等名
      日本学術振興会第162委員会第105回研究会
    • 招待講演
  • [学会発表] A kinetic-thermodynamic theory in step-flow growth of compound semiconductor: Application to impurity incorporation in GaN MOVPE2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa, K. Kakimoto
    • 学会等名
      大阪電気通信大学国際ワークショップ
  • [学会発表] Influence of lattice constraint on In incorporation in InGaN MOVPE2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Y. Kangawa, K. Kakimoto
    • 学会等名
      The 36th Electronic Materials Symposium
  • [学会発表] GaNの表面構造と結晶成長2017

    • 著者名/発表者名
      伊藤智徳
    • 学会等名
      豊田工業大学合同シンポジウム
    • 招待講演
  • [学会発表] 計算科学で識る窒化物半導体表面と結晶成長2017

    • 著者名/発表者名
      伊藤智徳
    • 学会等名
      日本真空学会東海支部12月研究例会
    • 招待講演
  • [学会発表] 計算科学で識る分子線エピタキシャル成長:表面,界面,成長2017

    • 著者名/発表者名
      伊藤智徳
    • 学会等名
      第36回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム
    • 招待講演
  • [学会発表] Investigation of high-temperature annealing process of sputtered AlN films2017

    • 著者名/発表者名
      Shiyu Xiao, Ryoya Suzuki, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Shunta Harada, Toru Ujihara
    • 学会等名
      International Workshop on UV Materials and Devices 2017
    • 国際学会
  • [学会発表] Fabrication of highly oriented c-plane AlN buffer layer by metalorganic vapor phase epitaxy on nucleation layer deposited by sputtering2017

    • 著者名/発表者名
      Ryo Yoshizawa, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu
    • 学会等名
      The 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices 2017
    • 国際学会
  • [学会・シンポジウム開催] International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)2017

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公開日: 2018-12-17   更新日: 2022-05-18  

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