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2017 年度 実績報告書

陽電子消滅による結晶特異構造のキャリア捕獲・散乱ダイナミックスの評価

計画研究

研究領域特異構造の結晶科学:完全性と不完全性の協奏で拓く新機能エレクトロニクス
研究課題/領域番号 16H06424
研究機関筑波大学

研究代表者

上殿 明良  筑波大学, 数理物質系, 教授 (20213374)

研究分担者 大島 永康  国立研究開発法人産業技術総合研究所, 分析計測標準研究部門, 研究グループ長 (00391889)
角谷 正友  国立研究開発法人物質・材料研究機構, 材料研究機構・機能性材料研究拠点, 主席研究員 (20293607)
石橋 章司  国立研究開発法人産業技術総合研究所, 機能性材料コンピュテーショナルデザイン研究センター, 研究チーム長 (30356448)
奥村 宏典  筑波大学, 数理物質系, 助教 (80756750)
研究期間 (年度) 2016-06-30 – 2021-03-31
キーワード結晶 / 空孔型欠陥 / キャリア捕獲 / 陽電子消滅
研究実績の概要

陽電子ビームを用いて、GaN中の空孔型欠陥が光照射により励起された電子を捕獲する過程を評価した。陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定を、光エネルギーの関数として測定した。得られたS値の光エネルギー依存性から、GaN中の炭素と空孔型欠陥で電子の移動が起こっていることが明らかになった。また、炭素濃度を広範囲に変化させた試料を測定することにより、炭素による電子捕獲の詳細が明らかになった。
陽電子マイクロビームの改良を実施した。陽電子ビームの直径が100マイクロメートルとしたときの、ビームの安定性を確保するため、ビーム光学系の電場・磁場の出力を安定化するシステムを開発した。また、陽電子測定制御ソフトを導入したことで、陽電子マイクロビームのスポット径を効率的に調整することが可能となった。
第一原理材料シミュレータQMASを用いて、AlGaN、InGaN、AlInN中のカチオン空孔と窒素空孔の複合体での陽電子の状態と対応する消滅パラメータを計算し、欠陥周囲の局所構造パラメータなどとの相関を解析した。
AlN試料にSiイオンを注入し、窒素雰囲気下において熱処理することによりイオン注入損傷の回復を試みた。イオン注入時および熱処理時に発生した点欠陥の熱処理温度依存性を陽電子消滅法により調べた。
サファイア基板上に成長したGaNならびにInxGa1-xN薄膜を光熱偏向分光法(PDS)で評価し、価電子帯上端近傍の状態密度やバンドギャップ内の深い準位欠陥を評価した。In組成増加に伴い、構造乱れが誘起され、価電子帯直上のバンドが変化する状態を確認した。これらの測定により、PDSで構造の評価ができることが確認された。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

1: 当初の計画以上に進展している

理由

Siイオンを注入したAlN試料に対して、高温焼鈍後の電気的特性を調べたところ、電気伝導性が得られた。窒素極性面でも同様の傾向が得られた。イオン注入によるAlNの伝導性の制御は極めて困難であると予想されたが、今後の展開が期待できる結果となった。
光熱偏向分光法でInGaN薄膜の構造乱れ(Urbachエネルギー)を評価することができた。現在は、InGaNの特異的特性を評価する特異構造の指標について検討を行っている。

今後の研究の推進方策

開発したビーム光学系電源安定化システムの調整を行い、陽電子ビーム径が100マイクロメートル以下で安定的に保持できることを確認する。位置分解能を安定化させた陽電子マイクロビームをパルス化し入射エネルギーを調整して陽電子寿命を測定することで、様々な試料の局所的な特異構造の点欠陥を評価する。
第一原理材料シミュレータを用いて、窒化物半導体およびその合金など半導体材料における様々な点欠陥について、陽電子状態・消滅パラメータを計算し、実験結果との比較を容易にするために構築したデータベースを更新する。欠陥周囲の局所構造と陽電子消滅パラメータを関連付ける回帰モデルを構築する。
AlN試料へのSiイオンとHイオンの同時注入や、Geイオン注入によるn型化を試みる。窒素雰囲気下での高温熱処理後に陽電子消滅法による点欠陥評価を行い、点欠陥の注入イオン種依存性を調べる。電気的特性に影響を与える点欠陥発生を抑制する条件を模索し、n型AlN試料の電気的特性向上を図る。得られた知見を元に、Siイオン注入法を用いたAlN MOSトランジスタを作製する。
InGaNに加えてイオン注入した試料、Al2O3/GaNの酸窒化物界面構造などを光熱偏向分光法でも評価し、分光学的に得られるギャップ内準位欠陥と陽電子消滅で得られる情報とを比較しながらIII-V族窒化物の欠陥の学理構築に貢献する。

  • 研究成果

    (30件)

すべて 2018 2017 その他

すべて 国際共同研究 (3件) 雑誌論文 (9件) (うち国際共著 3件、 査読あり 9件、 オープンアクセス 1件) 学会発表 (18件) (うち国際学会 10件、 招待講演 4件)

  • [国際共同研究] Technische Universitat Munchen/Universitat der Bundeswehr Muchen(ドイツ)

    • 国名
      ドイツ
    • 外国機関名
      Technische Universitat Munchen/Universitat der Bundeswehr Muchen
  • [国際共同研究] MIT(米国)

    • 国名
      米国
    • 外国機関名
      MIT
  • [国際共同研究] Aalto Univ.(フィンランド)

    • 国名
      フィンランド
    • 外国機関名
      Aalto Univ.
  • [雑誌論文] MOVPE growth of N-polar AlN on 4H-SiC: Effect of substrate miscut on layer quality2018

    • 著者名/発表者名
      Lemettinen J.、Okumura H.、Kim I.、Kauppinen C.、Palacios T.、Suihkonen S.
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 487 ページ: 12~16

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2018.02.013

    • 査読あり
  • [雑誌論文] MOVPE growth of nitrogen- and aluminum-polar AlN on 4H-SiC2018

    • 著者名/発表者名
      Lemettinen J.、Okumura H.、Kim I.、Rudzinski M.、Grzonka J.、Palacios T.、Suihkonen S.
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: 487 ページ: 50~56

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2018.02.020

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Valence band edge tail states and band gap defect levels of GaN bulk and InxGa1-xN films detected by hard X-ray photoemission and photothermal deflection spectroscopy2018

    • 著者名/発表者名
      M. Sumiya, S. Ueda, K. Fukuda, Y. Asai, Y. Cho, L. Sang, A. Uedono, T. Sekiguchi, T. Onuma, and T. Honda
    • 雑誌名

      APEX

      巻: 11 ページ: 021002(1-4)

    • DOI

      10.7567/APEX.11.021002

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Determination of the transition point from electron accumulation to depletion at the surface of In x Ga1- x N films2018

    • 著者名/発表者名
      X. Sun, X. Wang, S. Liu, P. Wang, D. Wang, X. Zheng, L. Sang, M. Sumiya, S. Ueda, M. Li, J. Zhang, W. Ge and B. Shen
    • 雑誌名

      APEX

      巻: 11 ページ: 021001(1-4)

    • DOI

      10.7567/APEX.11.021001

    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation2018

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, S. Suihkonen, J. Lemettinen, A. Uedono, Y. Zhang, D. Piedra, and T. Palacios
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys.

      巻: 57 ページ: 04FR11(1-5)

    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Carrier Trapping by Vacancy-Type Defects in Mg-Implanted GaN Studied Using Monoenergetic Positron Beams2017

    • 著者名/発表者名
      Uedono Akira、Takashima Shinya、Edo Masaharu、Ueno Katsunori、Matsuyama Hideaki、Egger Werner、Koschine Tonjes、Hugenschmidt Christoph、Dickmann Marcel、Kojima Kazunobu、Chichibu Shigefusa F.、Ishibashi Shoji
    • 雑誌名

      Phys. Stat. Sol. B

      巻: 2017 ページ: 1700521(1-9)

    • DOI

      10.1002/pssb.201700521

    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Electron capture by vacancy-type defects in carbon-doped GaN studied using monoenergetic positron beams2017

    • 著者名/発表者名
      Uedono Akira、Tanaka Taketoshi、Ito Norikazu、Nakahara Ken、Egger Werner、Hugenschmidt Christoph、Ishibashi Shoji、Sumiya Masatomo
    • 雑誌名

      Thin Solid Films

      巻: 639 ページ: 78~83

    • DOI

      10.1016/j.tsf.2017.08.021

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Vacancy-type defects in bulk GaN grown by the Na-flux method probed using positron annihilation2017

    • 著者名/発表者名
      Uedono Akira、Imanishi Masayuki、Imade Mamoru、Yoshimura Masashi、Ishibashi Shoji、Sumiya Masatomo、Mori Yusuke
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth

      巻: 475 ページ: 261~265

    • DOI

      10.1016/j.jcrysgro.2017.06.027

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Two-component density functional study of positron-vacancy interaction in metals and semiconductors2017

    • 著者名/発表者名
      S. Ishibashi
    • 雑誌名

      Acta Physica Polonica A

      巻: 132 ページ: 1602-1605

    • DOI

      10.12693/APhysPolA.132.1602

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [学会発表] III-V族窒化物の価電子帯構造およびギャップ内準位の評価2018

    • 著者名/発表者名
      角谷正友, 福田清貴,上田茂典, 浅井祐哉, Cho Yujin, 関口隆史, 上殿明良, 尾沼猛儀, Sang Liwen, 本田徹
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] Mgイオン注入N極性面GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価2018

    • 著者名/発表者名
      嶋紘平, 井口紘子, 成田哲生, 片岡恵太, 上殿明良, 小島一信, 秩父重英
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] Mg イオン注入GaN MOSFET のチャネル特性向上2018

    • 著者名/発表者名
      高島信也,田中亮,上野勝典,松山秀昭,江戸雅晴, 小島一信, 秩父重英, 上殿明良, 中川清和
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] Carrier trapping by vacancy-type defects in group-III nitrides studied by means of positron annihilation2018

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, M. Sumiya, and S. Ishibashi
    • 学会等名
      Third DAE-BRNS Trombay Positron Meeting
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] 陽電子消滅による窒化物半導体中0次元特異構造(点欠陥)のキャリア捕獲の評価2018

    • 著者名/発表者名
      上殿明良,石橋章司,角谷正友
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
    • 招待講演
  • [学会発表] イオン注入したGaNの光熱偏向分光法による評価2018

    • 著者名/発表者名
      福田清貴,尾沼猛儀, 山口智広、本田徹, 岩井秀夫、Sang Liwen,角谷正友
    • 学会等名
      第65回応用物理学会春季学術講演会
  • [学会発表] GaN基板上Mg添加GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価2017

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,小島一信,嶋紘平,高島信也,江戸雅晴,上野勝典,石橋章司,上殿明良
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
  • [学会発表] Theoretical calculation of positron annihilation parameters for defects in UV materials (AlN, ZnO, Ga2O3)2017

    • 著者名/発表者名
      S. Ishibashi and A. Uedono
    • 学会等名
      Int. Workshop on UV Materials and Devices
    • 国際学会
  • [学会発表] Theoretical Calculation of Positron Annihilation Parameters in Group-III nitrides2017

    • 著者名/発表者名
      S. Ishibashi and A. Uedono
    • 学会等名
      29th Int. Conf. Defects in Semiconductors, Matsue
    • 国際学会
  • [学会発表] Role of point defects on the luminescent properties of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN fabricated on a GaN substrate2017

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, K. Kojima, S. Takashima, M. Edo, K. Ueno, M. Shimizu, T. Takahashi, S. Ishibashi, and A. Uedono
    • 学会等名
      12th Int. Conf. Nitride Semiconductors, Strasbourg Convention Center
    • 国際学会
  • [学会発表] Vacuum-fluorescent-display devices emitting polarized deep-ultraviolet and visible lights using m-plane Al1-xInxN epitaxial nanostructures2017

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, K. Kojima, A. Uedono, and Y. Sato
    • 学会等名
      11th Int. Sym. Semiconductor on Light Emitting Devices
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Study of point defects in nitrides and oxides by means of positron annihilation2017

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono
    • 学会等名
      5th Int. Conf. on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications
    • 招待講演
  • [学会発表] Two-component density functional study of positron-vacancy interaction in metals and semiconductors2017

    • 著者名/発表者名
      S. Ishibashi
    • 学会等名
      12th International Workshop on Positron and Positronium Chemistry
    • 国際学会
  • [学会発表] 光熱偏向分光法によるGa1-xInxN薄膜の評価2017

    • 著者名/発表者名
      福田 清貴、尾沼 猛儀、Sang Liwen、山口 智広、本田 徹、角谷 正友
    • 学会等名
      第78回応用物理学会秋季学術講演会
  • [学会発表] AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation2017

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, S. Suihkonen, J. Lemettinen, A. Uedono, T. Palacios
    • 学会等名
      2017 Material Research Society Fall Meeting
    • 国際学会
  • [学会発表] AlN metal-semiconductor field-effect transistors using Si-ion implantation2017

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, S. Suihkonen, J. Lemettinen, A. Uedono, and T. Palacios
    • 学会等名
      2017 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 国際学会
  • [学会発表] Electrical Properties of Si-Ion Implanted AlN2017

    • 著者名/発表者名
      H. Okumura, S. Suihkonen, and T. Palacios
    • 学会等名
      12th Int. Conf. Nitride Semiconductors
    • 国際学会
  • [学会発表] MOVPE growth of nitrogen-polar AlN on C-face 4H-SiC with miscut2017

    • 著者名/発表者名
      J. Lemettinen, H. Okumura, T. Palacios, and S. Suihkonen
    • 学会等名
      12th Int. Conf. on Nitride Semiconductors
    • 国際学会

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公開日: 2018-12-17  

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