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2019 年度 実績報告書

時間空間分解カソードルミネッセンスによる特異構造の光物性解明と機能性探索

計画研究

研究領域特異構造の結晶科学:完全性と不完全性の協奏で拓く新機能エレクトロニクス
研究課題/領域番号 16H06427
研究機関東北大学

研究代表者

秩父 重英  東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (80266907)

研究分担者 小島 一信  東北大学, 多元物質科学研究所, 准教授 (30534250)
嶋 紘平  東北大学, 多元物質科学研究所, 助教 (40805173)
中須 大蔵  東北大学, 多元物質科学研究所, 助教 (40801254)
研究期間 (年度) 2016-06-30 – 2021-03-31
キーワード結晶工学 / 結晶成長 / フェムト秒電子銃 / 時間空間同時分解分光
研究実績の概要

特異構造の内部や、外部との界面における局所的な発光ダイナミクスを把握するには、当該構造を狙い打ちして時間分解分光を行う必要がある。走査型電子顕微鏡にフェムト秒パルスレーザ励起光電子銃を組み込む時間・空間同時分解カソードルミネッセンス(STRCL)装置は、特異構造の発光イメージングやダイナミクス解析が可能である上、電子線励起のためバンドギャップの制限を受けない。B02-2班は、ワイドバンドギャップ窒化物及び酸化物半導体特異構造の評価を行い、光物性解明と光機能性発現のための設計指針を与える事を目的として研究を行った。
R1年度は大きく分けて4つの成果を得た。(1)評価技術進展:STRCL装置の試料リターディング電圧を、最大2.5kVまで印可できるようにしSEM解像度が向上した。(2)新規特異構造材料評価:m面成長AlInN混晶ナノ構造の空間分解CL像を得て発光メカニズムを明らかにし、A01-5寒川班と共同で周期構造発生メカニズムを明らかにした。また、2次元層状半導体六方晶BN薄膜のSTRCL評価を行った。(3)人工形成特異構造:A01-2三宅班により作製されたスパッタAlN及びAlNエピ層の評価を行った。また、マクロステップ上にエピタキシャル成長を行う事によって発生するAlGaN薄膜の組成変調と、その上に形成されるc面でなくなる量子井戸に起因するキャリア局在機構を明らかにした。さらに、Mgイオン注入されたGaNの時間分解分光を行い、アニールによる欠陥の動向をB01-2上殿班と共同で調べた。(4)次元性の制御された特異構造に関連する欠陥評価:A01-3上山班のInGaN量子殻構造や、Mgイオン注入GaNにおける点欠陥と非輻射再結合に関するモデルを構築した。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

1: 当初の計画以上に進展している

理由

令和元年度は、研究実績の概要欄に記したように、交付申請書に記した実施計画はもとより、新奇特異構造材料としてm面AlInNナノ構造体やm面自立AlN基板とホモエピタキシャル層、2次元層状h-BN、InGaN量子殻構造の評価も実行できた。また、前年度から引き続き行っているAlGaN量子井戸の評価やMg注入GaNの評価において、3次元、2次元、1次元及び0次元欠陥といえるボイドから点欠陥までの評価を行った。領域内外との共同研究展開も活発に行い、成果も論文・発表ともに発信できた。これら試料群のうちいくつかは当初予定には無かったものであり、本領域のアクティビティの高さのため他研究班および組織外からの測定依頼試料数が大幅に増加した結果増加したものである。

今後の研究の推進方策

令和2年度は最終年度であるから、5年間の研究の総仕上げを行う。すなわち、B02-2班としてだけでなく領域全体の成果アップに繋げられるよう連携を強化して計測研究を推進する。
具体的には、STRCL装置の高時間分解能化を達成するため、フェムト秒チタンサファイヤレーザの第4高調波励起による時間分解フォトルミネッセンス(TRPL)と、STRCL装置による時間分解カソードルミネッセンス(TRCL)の詳細な信号比較を行う。この際、時間分解能が1ピコ秒以下の検出器を用い、パルス電子線の飛行時間とパルス幅の変化を追跡する。
また、A01,A02,B01班から供給される試料の局所発光ダイナミクス計測を行い、起きている物理現象のモデリングを行う。材料としては、Egが可視光域にあるInGaN系ナノ構造、Egが紫外線領域にあるGaN,AlGaNや2次元構造のh-BNの計測を行い、論文化する。研究を阻害する課題は特にない。

  • 研究成果

    (38件)

すべて 2020 2019 その他

すべて 国際共同研究 (2件) 雑誌論文 (10件) (うち国際共著 5件、 査読あり 10件、 オープンアクセス 3件) 学会発表 (24件) (うち国際学会 11件、 招待講演 8件) 図書 (1件) 備考 (1件)

  • [国際共同研究] North Carolina State University/Adroit Materials Inc.(米国)

    • 国名
      米国
    • 外国機関名
      North Carolina State University/Adroit Materials Inc.
  • [国際共同研究] Institute. of Appl. Phys. and Metrology/Technische Universitat Munchen(ドイツ)

    • 国名
      ドイツ
    • 外国機関名
      Institute. of Appl. Phys. and Metrology/Technische Universitat Munchen
  • [雑誌論文] Roles of carbon impurities and intrinsic nonradiative recombination centers on the carrier recombination processes of GaN crystals2020

    • 著者名/発表者名
      K. Kojima, F. Horikiri, Y. Narita, T. Yoshida, H. Fujikura, and S. F. Chichibu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 13 (1) ページ: 012004 1-4

    • DOI

      10.7567/1882-0786/ab5adc

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Spatio-time-resolved cathodoluminescence studies of wide-bandgap group-III nitride semiconductors2020

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, Y. Ishikawa, K. Hazu, and K. Furusawa
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 59 (2) ページ: 020501 1-17

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab5ef4

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors2020

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, and A. Uedono
    • 雑誌名

      Proceedings of the Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE), Gallium Nitride Materials and Devices XV, Edited by H. Fujioka, H. Morkoc, and U. T. Schwarz

      巻: 11280 ページ: 11280B 1-10

    • DOI

      10.1117/12.2545409

    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Control of vacancy-type defects in Mg implanted GaN studied by positron annihilation spectroscopy2020

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, M. Dickmann, W. Egger, C. Hugenschmidt, S. Ishibashi, and S. F. Chichibu
    • 雑誌名

      Proceedings of the Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE), Gallium Nitride Materials and Devices XV, Edited by H. Fujioka, H. Morkoc, and U. T. Schwarz

      巻: 11280 ページ: 11280C 1-8

    • DOI

      10.1117/12.2541518

    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Room-temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted Mg-doped GaN on GaN structures2019

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, S. Ishibashi, and A. Uedono
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 58 (SC) ページ: SC0802 1-10

    • DOI

      10.7567/1347-4065/ab0d06

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Quantification of the quantum efficiency of radiation of a freestanding GaN crystal placed outside an integrating sphere2019

    • 著者名/発表者名
      K. Kojima, K. Ikemura, and S. F. Chichibu
    • 雑誌名

      Applied Physics Express

      巻: 12 (6) ページ: 062010 1-4

    • DOI

      10.7567/1882-0786/ab2165

    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Annealing behavior of vacancy-type defects in Mg- and H-implanted GaN studied using monoenergetic positron beams2019

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, W. Egger, A. Uedono, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, W. Egger, C. Hugenschmidt, M. Dickmann, K. Shima, K. Kojima, S. F. Chichibu, and S. Ishibashi
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi (b)

      巻: 256 (10) ページ: 1900104 1-12

    • DOI

      10.1002/pssb.201900104

    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Internal quantum efficiency of radiation in a bulk CH3NH3PbBr3 perovskite crystal quantified by using the omnidirectional photoluminescence spectroscopy2019

    • 著者名/発表者名
      K. Kojima, K. Ikemura, K. Matsumori, Y. Yamada, Y. Kanemitsu, and S. F. Chichibu
    • 雑誌名

      APL Materials

      巻: 7 ページ: 071116 1-6

    • DOI

      10.1063/1.5110652

    • 査読あり
  • [雑誌論文] In-plane optical polarization and dynamic properties of the near-band-edge emission of an m-plane freestanding AlN substrate and a homoepitaxial film2019

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, K. Kojima, K. Hazu, Y. Ishikawa, K. Furusawa, S. Mita, R. Collazo, Z. Sitar, and A. Uedono
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 115 (15) ページ: 151903 1-5

    • DOI

      10.1063/1.5116900

    • 査読あり / 国際共著
  • [雑誌論文] Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes2019

    • 著者名/発表者名
      K. Shima, K. Kojima, A. Uedono, and S. F. Chichibu
    • 雑誌名

      Proceedings of IWJT2019: IEEE Xplore Digital Library

      巻: none ページ: 1-4

    • DOI

      10.23919/IWJT.2019.8802886

    • 査読あり / 国際共著
  • [学会発表] Origin and dynamic properties of major intrinsic nonradiative recombination centers in wide bandgap nitride semiconductors2020

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, and A. Uedono
    • 学会等名
      The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2020, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XV (OE107)
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Control of vacancy-type defects in Mg implanted GaN studied by positron annihilation spectroscopy2020

    • 著者名/発表者名
      A. Uedono, M. Dickmann, W. Egger, C. Hugenschmidt, S. Ishibashi, and S. F. Chichibu
    • 学会等名
      The Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers (SPIE) Photonics West 2020, OPTO, Gallium Nitride Materials and Devices XV (OE107
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] GaN結晶の輻射量子効率に対して炭素不純物および非輻射再結合中心が及ぼす影響2020

    • 著者名/発表者名
      小島一信,堀切文正,成田好伸,吉田丈洋,藤倉序章,秩父重英
    • 学会等名
      2020年春季応用物理学会
  • [学会発表] MOVPE成長m面AlInN/GaNヘテロ構造における特異構造(3)-断面CL-2020

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,嶋紘平,小島一信
    • 学会等名
      2020年春季応用物理学会
  • [学会発表] GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解陰極線ルミネッセンス2020

    • 著者名/発表者名
      李リヤン,嶋紘平,山中瑞樹,小島一信,江川孝志,竹内哲也,三好実人,秩父重英
    • 学会等名
      2020年春季応用物理学会
  • [学会発表] 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(1)2020

    • 著者名/発表者名
      嶋紘平,中須大蔵,正直花奈子,上杉謙次郎,小島一信,上殿明良,三宅秀人,秩父重英
    • 学会等名
      2020年春季応用物理学会
  • [学会発表] 高温アニールしたスパッタAlN上に成長させたAlNの陰極線蛍光評価(2)2020

    • 著者名/発表者名
      中須大蔵,嶋紘平,正直花奈子,上杉謙次郎,小島一信,上殿明良,三宅秀人,秩父重英
    • 学会等名
      2020年春季応用物理学会
  • [学会発表] PVT成長AlN上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の陰極線蛍光評価2020

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,嶋紘平,小島一信,Baxter Moody,三田清二,Ramon Collazo,Zlatko Sitar,熊谷義直,上殿明良
    • 学会等名
      2020年春季応用物理学会
  • [学会発表] 深紫外AlGaN発光ダイオードとマルチピクセルフォトンカウンタを用いたソーラーブラインド帯モバイル光無線通信2020

    • 著者名/発表者名
      小島一信,吉田悠来,白岩雅輝,淡路祥成,菅野敦史,山本直克,平野光,長澤陽祐,一本松正道,秩父重英
    • 学会等名
      2020年春季応用物理学会
  • [学会発表] Improvement in the luminescence property of hexagonal boron nitride grown by CVD on a c-plane sapphire substrate2019

    • 著者名/発表者名
      K. Hara, N. Umehara, K. Shima, K. Kojima, and S. F. Chichibu
    • 学会等名
      The 4th International Conference on Physics of 2D Crystals (ICP2C4)
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Impact of vacancy complexes on the nonradiative recombination processes in III-N devices2019

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, K. Shima, K. Kojima, S. Ishibashi, and A. Uedono
    • 学会等名
      The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Role of Al-vacancy complexes in AlN and high AlN mole fraction AlGaN alloys2019

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, H. Miyake, and A. Uedono
    • 学会等名
      4th International Workshop on UV Materials and Devices (IWUMD-IV)
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Quantification of external quantum efficiency for near-band-edge emission of freestanding h-BN crystals under photo-excitation2019

    • 著者名/発表者名
      K. Kojima, K. Watanabe, T. Taniguchi, and S. F. Chichibu
    • 学会等名
      Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019), Spectroscopy & growth of h-BN II
    • 国際学会
  • [学会発表] Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes2019

    • 著者名/発表者名
      K. Shima, K. Kojima, A. Uedono, and S. F. Chichibu
    • 学会等名
      19th International Workshop on Junction Technology (IWJT2019)
    • 国際学会
  • [学会発表] Effects of an extra Al metal added during the acidic ammonothermal growth of GaN crystals2019

    • 著者名/発表者名
      D. Tomida, Q. Bao, M. Saito, K. Kurimoto, M. Ito, T. Ishiguro, and S. F. Chichibu
    • 学会等名
      The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
    • 国際学会
  • [学会発表] Photoluminescence studies of sequentially Mg and H ion-implanted GaN with various implantation depths and crystallographic planes2019

    • 著者名/発表者名
      K. Shima, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, K. Kojima, A. Uedono, and S. F. Chichibu
    • 学会等名
      The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
    • 国際学会
  • [学会発表] Dependences of external quantum efficiency of radiation and photoluminescence lifetime on the carbon concentration in GaN on GaN structures2019

    • 著者名/発表者名
      K. Kojima, F. Horikiri, Y. Narita, T. Yoshida, and S. F. Chichibu
    • 学会等名
      The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
    • 国際学会
  • [学会発表] Time-resolved luminescence studies of indirect excitons in h-BN epitaxial films grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors2019

    • 著者名/発表者名
      S. F. Chichibu, N. Umehara, K. Takiguchi, K. Shima, K. Kojima, Y. Ishitani, and K. Hara
    • 学会等名
      The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
    • 国際学会
  • [学会発表] 時間空間分解カソードルミネッセンスによるワイドバンドギャップ半導体の所発光ダイナミクス評価2019

    • 著者名/発表者名
      秩父重英
    • 学会等名
      日本表面真空学会 2019年6月研究例会「電子ビーム技術の新展開」
    • 招待講演
  • [学会発表] 窒化物半導体の時間空間分解カソードルミネッセンス評価2019

    • 著者名/発表者名
      秩父重英
    • 学会等名
      応用物理学会薄膜・表面物理研究会 第47回薄膜・表面物理セミナー 「半導体GaNの基礎と応用」 -パワーデバイス開発のための合成・分析・構造設計技術-
    • 招待講演
  • [学会発表] 全方位フォトルミネセンス(ODPL)法を用いた半導体結晶の光物性評価2019

    • 著者名/発表者名
      小島一信,秩父重英
    • 学会等名
      ナノテスティング学会「第25回P&A解析研究会」
    • 招待講演
  • [学会発表] 多光子励起による窒化ガリウム結晶の時間分解フォトルミネセンス分光(2)2019

    • 著者名/発表者名
      小島一信,谷川智之,粕谷拓生,片山竜二,田中敦之,本田善央,天野浩,秩父重英
    • 学会等名
      2019年秋季応用物理学会
  • [学会発表] 気相成長m面自立AlN基板およびホモエピタキシャル層の偏光特性と発光ダイナミクス2019

    • 著者名/発表者名
      秩父重英,小島一信,羽豆耕治,石川陽一,古澤健太郎,三田清二,R.Collazo,Z.Sitar,上殿明良
    • 学会等名
      2019年秋季応用物理学会
  • [学会発表] 深紫外AlGaN発光ダイオードの顕微エレクトロルミネセンス測定2019

    • 著者名/発表者名
      小島一信,吉田悠来,白岩雅輝,淡路祥成,菅野敦史,山本直克,平野光,長澤陽祐,一本松正道,秩父重英
    • 学会等名
      2019年秋季応用物理学会
  • [図書] 2020版 薄膜作製応用ハンドブック2020

    • 著者名/発表者名
      秩父重英
    • 総ページ数
      14
    • 出版者
      (株)エヌ・ティー・エス
    • ISBN
      978-4-86043-631-5
  • [備考] 研究内容紹介

    • URL

      http://www2.tagen.tohoku.ac.jp/lab/chichibu/html/research.html

URL: 

公開日: 2021-01-27  

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