| 研究領域 | 配位アシンメトリー：非対称配位圏設計と異方集積化が拓く新物質科学 |
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| 研究課題/領域番号 |
16H06517
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| 研究種目 |
新学術領域研究(研究領域提案型)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 東京大学 (2018-2021)
京都大学 (2016-2017) |
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研究代表者 |
植村 卓史 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 教授 (50346079)
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| 研究期間 (年度) |
2016-06-30 – 2021-03-31
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| キーワード | 多孔性金属錯体 / 高分子 / ナノ空間 |
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| 研究成果の概要 |
多孔性金属錯体(MOF)が有する異方性ナノ細孔を高分子材料の制御場として用いることで、精密に構造規制された高分子の創製に成功した。例えば、キラルMOFのナノ細孔内でポリチオフェンを合成し、側鎖の導入をせずとも、キラリティを付与できることを実証した。ピラードレイヤー型MOFが有する二次元空間内で架橋重合を行うことで、わずか1分子の厚みしかない「史上最薄」のビニル高分子薄膜の合成を可能にした。
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| 自由記述の分野 |
錯体化学、高分子化学、ナノ空間材料
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| 研究成果の学術的意義や社会的意義 |
本領域での研究を遂行することで、錯体化学の持つポテンシャルを最大限活かし、多孔性金属錯体(MOF)をベースとした非対称空間の合理的な設計が可能になった。得られた超空間鋳型を用いることで、新しい高分子材料やナノ複合材料の創製、高分子分離技術の開発につながり、今後の循環型社会構築に向けた重要な基盤創製技術に結び付くと期待できる。
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