計画研究
本研究の目的は、パルス堆積法と呼ばれる新しいInN系窒化物半導体の低温成長技術を開発することによって極めて高品質なInNやその混晶(InAlN、InGaN)を成長し、pn制御や急峻なヘテロ接合を実現することである。平成22年度では、平成21年度までに開発したパルス励起堆積法による低温成長技術を用いてInN系窒化物半導体の極性制御技術や半極性面成長技術の確立、偏光特性の解明を行った。さらに、これまでに開発した技術を統合して素子作製を行い、パルス励起堆積低温成長技術の有用性を確かめた。具体的には、InN薄膜の極性制御法の確立、半極性面InAlN薄膜の成長、InGaN偏光特性の歪依存性の解明、pn接合形成による発光ダイオードの作製を行った。格子不整が小さいYSZ基板上にc面InN薄膜成長を行ったところ、基板表面のアニール処理条件に依ってYSZ基板表面の状態が変化し、InN薄膜の極性を制御できることが明らかになった。また、半極性面ZnO基板上InAlN薄膜成長を行ったところ、室温成長を行うことによってInAlN/ZnOの界面反応を抑制でき、高品質な半極性面InAlN薄膜の成長が可能になることを見出した。さらに、これまでに開発した技術を統合してパルス励起堆積法によるInGaN系発光ダイオードの作製を行ったところ、可視光全域をカバーする電流注入発光が明瞭に観測され、本提案のパルス励起堆積法がInN系窒化物半導体薄膜成長技術として極めて有望であることが示された。
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Applied Physics Express
巻: 4 ページ: 015501-1-015501-3
Physica Status Solidi A
ページ: 1-4
Journal of Crystal Growth
巻: 319 ページ: 102-105
Physica Status Solidi RRL
巻: 4 ページ: 88-90
巻: 3 ページ: 041002-1-041002-3
巻: 207 ページ: 2149-2152
巻: 3 ページ: 061001-1-061001-3
Physica Status Solidi (RRL)
巻: 4 ページ: 188-190
Japanese Journal of Applied Physics
巻: 49 ページ: 060213-1-060213-3
巻: 207 ページ: 2269-2271
巻: 49 ページ: 070202-1-070202-3
巻: 49 ページ: 080202-1-080202-3
巻: 49 ページ: 080204-1-080204-3
Physica Status Solidi B
巻: 49 ページ: 100202-1-100202-3
