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2009 年度 実績報告書

原料分子制御法によるAlNおよびAlGaN混晶の厚膜エピタキシャル成長

計画研究

研究領域窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
研究課題/領域番号 18069004
研究機関東京農工大学

研究代表者

纐纈 明伯  東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究院, 教授 (10111626)

研究分担者 熊谷 義直  東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究院, 准教授 (20313306)
村上 尚  東京農工大学, 大学院・共生科学技術研究院, 助教 (90401455)
キーワード窒化物半導体 / 厚膜エピタキシー / 自立基板結晶 / Al系窒化物 / 原料分子制御法 / HVPE成長 / AlN / AlGaN
研究概要

窒化物半導体材料は深紫外領域から赤外領域までの広大なエネルギー領域をカバーする材料として、青紫色材料以外への応用に関しても世界的に注目されている。近年、高品質な自立基板結晶に関する研究に大きな注目が集まっている。現状では、コストの問題は残るがGaN基板結晶は市販されるに至っており、AlNに関する研究も多くなされておりAIN基板結晶の実現も近いと考えられる。一方、GaNやAINと異なりInN結晶はその結合エネルギーが非常に小さく、このためにInN成長は低温および低成長速度の条件で行われているのが現状である。このために、InNの高品質バルク結晶の実現が強く望まれている。さらに、新機能素子実現の観点からGaNとAlNの混晶であるAlGaN基板結晶の実現も望まれている。本申請研究では、原料分子を制御した新しい気相成長法により窒化物半導体の高品質基板結晶の実現を目的とする。具体的には、(1)石英反応管と反応しないAl原料の利用、(2)生成の自由エネルギー変化が大きく高温成長や高速成長が期待できるIn原料の利用により、高品質なAlN, InNおよびAlGaNの厚膜エピタキシャル成長を目的とした。
平成21年度は、平成20年度までに明らかにしたAlNおよびAlGaN成長に関する知見を元に、さらなる高品位厚膜結晶の成長を目指し研究を行った。主な、成果を下記に示す。
(AlN)(1)超高温成長におけるフリースタンディング結晶の高品位化(欠陥密度の低減化)、(2)初期基板結晶の新しい剥離法に関する研究
(AIGaN)(1)原料混合条件と組成均一性の関係、(2)高品質化(低欠陥化)の研究
(InN)(1) InCl_3を高効率に生成する原料部反応系を備えたInN成長装置の構築、(2)熱力学解析による高速成長・高品位InNのHVPE成長条件の探索

  • 研究成果

    (43件)

すべて 2010 2009

すべて 雑誌論文 (10件) (うち査読あり 10件) 学会発表 (32件) 図書 (1件)

  • [雑誌論文] Preparation of a crack-free AlN template layer on sapphire substrate by hydride vapor-phase epitaxy at 1450℃2009

    • 著者名/発表者名
      Jumpei Tajima, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 2837-2839

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Theoretical investigation on the decomposition process of GaN(0001)surface under a hydrogen atmosphere2009

    • 著者名/発表者名
      Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 3103-3105

    • 査読あり
  • [雑誌論文] In situ gravimetric monitoring of surface reactions between sapphire and NH_32009

    • 著者名/発表者名
      Kazuhiro Akiyama, Yasuhiro Ishii, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 311

      ページ: 3110-3113

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Measurement of misorientation of AIN layer grown on (111)Si for freestanding substrate2009

    • 著者名/発表者名
      K.Saito, J.Tajima, Y.Kumagai, M.Ishizuki, K.Takada, H.Morioka, A.Koukitu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C 6

      ページ: S293-S296

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Ab initio calculation for an initial growth process of GaN on(0001)and(000-1)surfaces by vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C 6

      ページ: S301-S304

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Investigation of polarity dependent InN{0001}decomposition in N_2 and H_2 ambient2009

    • 著者名/発表者名
      R.Togashi, T.Kamoshita, H.Adachi, H. Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C 6

      ページ: S372-S375

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Polarity control and preparation of AlN nano-islands by hydride vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      Toru Nagashima, Keiichiro Hironaka, Masanari Ishizuki, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Kazuya Takada
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C 6

      ページ: S444-S446

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Controlled formation of voids at the AlN/sapphire interface by sapphire decomposition for self-separation of the AlN layer2009

    • 著者名/発表者名
      J.Tajima, Y.Kubota, M.Ishizuki, T.Nagashima, R.Togashi, H.Murakami, Y.Kumagai, K.Takada, A.Koukitu
    • 雑誌名

      Physica Status Solidi C 6

      ページ: S447-S450

    • 査読あり
  • [雑誌論文] In situ Gravimetric Monitoring of Thermal Decomposition and Hydrogen Etching Rates of 6H-SiC(0001)Si Face2009

    • 著者名/発表者名
      Kazuhiro Akiyama, Yasuhiro Ishii, Sohei Abe, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Hironori Okumura, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda, Akinori Koukitu
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics 48

      ページ: 095505-1-4

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Influence of substrate polarity of(0001)and(000-1)GaN surfaces on hydride vap or-phase epitaxy of InN2009

    • 著者名/発表者名
      Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth 312

      ページ: 651-6550

    • 査読あり
  • [学会発表] r面sapphire基板上a面AlN HVPE成長におけるキャリアガスの影響2010

    • 著者名/発表者名
      田島純平, 越前史, 富樫理恵, 村上尚, 高田和哉, 熊谷義直, 纐纈明伯
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県)
    • 年月日
      2010-03-17
  • [学会発表] 高温その場X線回折による単結晶AlNの格子定数の温度依存性測定2010

    • 著者名/発表者名
      酒井美希, 田島純平, 永島徹, 富樫理恵, 村上尚, 森岡仁, 山内剣, 斎藤啓介, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県)
    • 年月日
      2010-03-17
  • [学会発表] サファイア(0001)基板上InN HVPE成長におけるNH_3供給分圧変調効果2010

    • 著者名/発表者名
      東川義弘, 大竹斐, 足立裕和, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県)
    • 年月日
      2010-03-17
  • [学会発表] ハイドライド気相成長法によるGaN自立基板上InN成長の極性依存性2010

    • 著者名/発表者名
      富樫理恵, 足立裕和, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
    • 学会等名
      第57回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      東海大学(神奈川県)
    • 年月日
      2010-03-17
  • [学会発表] HVPE Growth of Nitrides2010

    • 著者名/発表者名
      纐纈明伯, 熊谷義直
    • 学会等名
      Growth of Bulk Nitrides
    • 発表場所
      東北大学(宮城県)
    • 年月日
      2010-01-07
  • [学会発表] AlN/sapphire界面ボイドの形成を利用したfreestanding AlN基板の作製2009

    • 著者名/発表者名
      内田健悟, 江夏悠貴, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館(東京都)
    • 年月日
      2009-12-11
  • [学会発表] ハイドライド気相成長法によるsapphire(0001)基板上InN成長の成長温度依存性2009

    • 著者名/発表者名
      大竹斐, 足立裕和, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
    • 学会等名
      応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館(東京都)
    • 年月日
      2009-12-11
  • [学会発表] 熱力学解析による化合物半導体の気相成長2009

    • 著者名/発表者名
      纐纈明伯, 熊谷義直
    • 学会等名
      ワイドギャップ半導体の結晶成長技術-高度環境・エネルギー社会に向けて-
    • 発表場所
      東北大学(宮城県)
    • 年月日
      2009-11-18
  • [学会発表] 水素雰囲気下におけるAlN(0001)面の分解過程の理論解析2009

    • 著者名/発表者名
      鈴木ひかり, ウリアナ・パニュコワ, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(愛知県)
    • 年月日
      2009-11-14
  • [学会発表] Si汚染の低減を目指したAlN-HVPE成長のための原料探索2009

    • 著者名/発表者名
      田口悠嘉, 鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(愛知県)
    • 年月日
      2009-11-14
  • [学会発表] AlN/sapphire界面ボイドの形成制御により自発分離したAlN自立基板の特性2009

    • 著者名/発表者名
      内田健悟, 江夏悠貴, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(愛知県)
    • 年月日
      2009-11-13
  • [学会発表] HVPE法を用いたsapphire(0001)基板上InN成長における成長温度の影響2009

    • 著者名/発表者名
      大竹斐, 足立裕和, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
    • 学会等名
      第39回結晶成長国内会議(NCCG-39)
    • 発表場所
      名古屋大学(愛知県)
    • 年月日
      2009-11-13
  • [学会発表] Temperature dependence of InN growth on(0001)sapphire substrates by atmospheric pressure hydride vapor phase epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      熊谷義直, 足立裕和 大竹斐, 東川義弘, 富樫理恵, 村上尚, 纐纈明伯
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
    • 発表場所
      ICC Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-20
  • [学会発表] Selective growth of InN on patterned GaAs(111)B substrate-Influence of InN decomposition at the interface-2009

    • 著者名/発表者名
      Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
    • 発表場所
      ICC Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-19
  • [学会発表] Theoretical investigation of the decomposition mechanism of AlN(0001)surface under a hydrogen atmosphere2009

    • 著者名/発表者名
      鈴木ひかり, ウリアナ・パニュコワ, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
    • 発表場所
      ICC Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-19
  • [学会発表] XPS spectra of(0001)and(000-1)GaN surfaces2009

    • 著者名/発表者名
      Kazuyuki Noguchi, Tadashi Nozaki, Naoyuki Sakai, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Tohru Honda
    • 学会等名
      The 8th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-8)
    • 発表場所
      ICC Jeju, Korea
    • 年月日
      2009-10-19
  • [学会発表] 高品位厚膜InGaN三元混晶成長の検討2009

    • 著者名/発表者名
      纐纈明伯
    • 学会等名
      東北大プロジェクト研究会プログラム
    • 発表場所
      東北大学(宮城県)
    • 年月日
      2009-10-16
  • [学会発表] 気相成長法におけるGaN(0001)の成長初期過程の理論解析2009

    • 著者名/発表者名
      鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山県)
    • 年月日
      2009-09-11
  • [学会発表] sapphke(0001)基板上InN HVPE成長における成長温度依存性2009

    • 著者名/発表者名
      纐纈明伯, 田口悠嘉, 鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直
    • 学会等名
      第70回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      富山大学(富山県)
    • 年月日
      2009-09-10
  • [学会発表] Investigation of source precursor for AlN-HVPE to decrease Si-contamination2009

    • 著者名/発表者名
      纐纈明伯, 田口悠嘉, 鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直
    • 学会等名
      6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors(IWBNS-VI)
    • 発表場所
      Galindia Mazurski Eden, Poland
    • 年月日
      2009-08-25
  • [学会発表] Investigation of void formation beneath thin AlN layers by decomposition of sapphire substrates for self-separation of thick AlN layers grown by HVPE2009

    • 著者名/発表者名
      熊谷義直, 江夏悠貴, 石附正成, 富樫理恵, 田島純平, 村上尚, 高田和哉, 纐纈明伯
    • 学会等名
      6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors(IWBNS-VI)
    • 発表場所
      Galindia Mazurski Eden, Poland
    • 年月日
      2009-08-24
  • [学会発表] Growth of 2H-AlN films on Si(111)grown by RF-MBE using an interface reaction epitaxy and AM-MEE for HVPE growth2009

    • 著者名/発表者名
      T.Ohachi, N.Yamabe, K.Ohkusa, H.Murakami, Y.Kumagai, A.Koukitu
    • 学会等名
      6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors(IWBNS-VI)
    • 発表場所
      Galindia Mazurski Eden, Poland
    • 年月日
      2009-08-24
  • [学会発表] Spontaneous polarization effects in XPS spectra of GaN2009

    • 著者名/発表者名
      野口和之, 野崎理, 渡邉謙二, 纐纈明伯, 熊谷義直, 本田徹
    • 学会等名
      第28回電子材料シンポジウム(EMS-28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
    • 年月日
      2009-07-09
  • [学会発表] Two step growth of InN layer on SiO_2 patterned GaAs(111)B2009

    • 著者名/発表者名
      趙賢哲, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
    • 学会等名
      第28回電子材料シンポジウム(EMS-28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
    • 年月日
      2009-07-08
  • [学会発表] Control of indium composition in coherently grown InGaN thin films2009

    • 著者名/発表者名
      屋山巴, 寒川義裕, 柿本浩一, 纐纈明伯
    • 学会等名
      第28回電子材料シンポジウム(EMS-28)
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
    • 年月日
      2009-07-08
  • [学会発表] HVPE AlN厚膜自発分離の最適化に向けたAlN/sapphire(0001)界面ボイドの拡張制御2009

    • 著者名/発表者名
      江夏悠貴, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
    • 学会等名
      日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第1回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京農工大学(東京都)
    • 年月日
      2009-05-16
  • [学会発表] AlN-HVPE成長のための原料探索-熱力学解析-2009

    • 著者名/発表者名
      田口悠嘉, 鈴木ひかり, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
    • 学会等名
      日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第1回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京農工大学(東京都)
    • 年月日
      2009-05-16
  • [学会発表] XPSを用いたGaN結晶の表面改質評価2009

    • 著者名/発表者名
      野口和之, 野崎理, 渡邉謙二, 纐纈明伯, 熊谷義直, 本田徹
    • 学会等名
      日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第1回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京農工大学(東京都)
    • 年月日
      2009-05-15
  • [学会発表] 成長モード制御によるMOVPE-InNの高品質化の検討2009

    • 著者名/発表者名
      趙賢哲, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
    • 学会等名
      日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第1回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京農工大学(東京都)
    • 年月日
      2009-05-15
  • [学会発表] 第一原理計算による水素雰囲気下におけるGaN(0001)の分解過程の解析2009

    • 著者名/発表者名
      鈴木ひかり, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯
    • 学会等名
      日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第1回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京農工大学(東京都)
    • 年月日
      2009-05-15
  • [学会発表] sapphire(0001)基板上HVPE AlN厚膜自発分離のための界面ボイド拡張制御2009

    • 著者名/発表者名
      江夏悠貴, 久保田有紀, 石附正成, 田島純平, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 高田和哉, 纐纈明伯
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学(茨城県)
    • 年月日
      2009-04-01
  • [学会発表] 熱力学解析によるAlN-HVPE成長のための原料探索-Si汚染の低減を目指して-2009

    • 著者名/発表者名
      田口悠嘉, 鈴木ひかり, 熊谷義直, 纐纈明伯
    • 学会等名
      第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学(茨城県)
    • 年月日
      2009-04-01
  • [図書] 室化物基板および格子整合成長とデバイス特性(天野浩編集)・室化ガリウムのハイドライド気相成長2009

    • 著者名/発表者名
      纐纈明伯、熊谷義直
    • 総ページ数
      225
    • 出版者
      シーエムシー出版

URL: 

公開日: 2011-06-16   更新日: 2016-04-21  

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