計画研究
窒化物半導体材料は深紫外領域から赤外領域までの広大なエネルギー領域をカバーする材料であるため、紫外領域から赤外領域までの発光・受光が可能である。さらに、材料の大きなバンドギャップを利用した高耐圧の電子デバイス材料としても大きく注目されている。このような大きな特徴から、脱炭素社会や省電力のキーマテリアルでもある。素子性能は結晶品質そのものが機能や性能を決めてしまう言っても過言ではない状況であり、近年、高品質な自立基板結晶に関する研究に大きな注目が集まっている。現状では、コストの問題は残るがGaN基板結晶は市販されるに至っており、AlN基板結晶の実現も近いと考えられる。一方、GaNやAlNと異なりInN結晶はその結合エネルギーが非常に小さく、このためにInN成長は低温および低成長速度の条件で行われているのが現状である。このために、InNの高品質厚膜結晶の実現も強く望まれている。本科学研究費の最終年である平成22年度は、これまでの研究の総括として下記の研究を行った。なお、これらの成果は研究発表や研究論文にて行った。(AlN)○高品質化および自立基板結晶のための成長条件の確立サファイヤ基板のボイド形成により、自立基板作成への道筋を明らかにした。(AlGaN)○新原料系を用いた成長成長の駆動力が著しく大きな新しいGa原料分子を用いた成長を行い、新しい原料系の優位性を明らかにした。(InN)○高品質InN成長のための成長条件の確立初期基板、成長前の処理、各種成長条件などの確立を行い、多くの知見を得た。
すべて 2011 2010
すべて 雑誌論文 (11件) (うち査読あり 11件) 学会発表 (45件) 図書 (2件)
Journal of Crystal Growth
巻: 318 ページ: 441-445
巻: 318 ページ: 479-482
Physica Status Solidi C
巻: 8(印刷中)
巻: 7 ページ: 2019-2021
巻: 7 ページ: 2022-2024
巻: 7 ページ: 2265-2267
巻: 312 ページ: 2530-2536
