| 研究概要 |
窒化物半導体のうち,AlNとGaNとの混晶Al_xGa_<1-x>N(以下,本申請ではAlGaNと略す)は、波長300nm以下の深紫外域の発光・受光素子への応用において非常に重要な材料である。 本研究では、バイオ光化学分野で新たに応用が期待されている波長250から300nmをターゲットとした発光・受光素子の開発を目指して、AlNモル分率x が0.5以上で,転位密度が10^7cm^<-3>以下のAlGaN 成長技術の開発を目的とする。また,点欠陥密度の低減により,真性キャリア密度の低いAlGaN成長技術の開発を目指す。
この目的のために本研究では、サファイア上のAlNエピタキシャル結晶上へのAlN及び高Al 組成AlGaNの低欠陥密度結晶を作製する技術を確立し、さらに深紫外線発光・受光素子の試作により、AlGaN系発光素子の転位密度と発光効率の関係を調べる。
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