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2010 年度 研究成果報告書

再現性に優れるGaInNAs結晶技術の確立および長波長半導体レーザへの適用

計画研究

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研究領域窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
研究課題/領域番号 18069008
研究種目

特定領域研究

配分区分補助金
審査区分 理工系
研究機関大阪大学

研究代表者

近藤 正彦  大阪大学, 工学研究科, 教授 (90403170)

研究分担者 藤原 康文  大阪大学, 工学研究科, 教授 (10181421)
森 伸也  大阪大学, 工学研究科, 准教授 (70239614)
百瀬 英毅  大阪大学, 低温センター, 助教 (80260636)
石川 史太郎  大阪大学, 工学研究科, 助教 (60456994)
森藤 正人  大阪大学, 工学研究科, 助教 (00230144)
研究期間 (年度) 2006 – 2010
キーワードGaInNAs / 半導体レーザ / 分子線エピタキシー / フォトルミネッセンス高品質化 / Al混入
研究概要

本研究の目的は、半導体レーザへ向けた再現性に優れるGaInNAs結晶技術を確立することである。そのため、分子線エピタキシー装置に組み付け可能なフォトルミネッセンス評価装置を独自に開発して、GaInNAs結晶の高品質化に取り組んだ。高品質結晶の成長には未だ問題が多い。その中の一つとして、Alセルを装備したMBEでは意図しないAlの混入が発生し、その結果、結晶品質やそれに伴うレーザ特性の劣化が発生することが報告されている。本研究では、結晶劣化の原因を究明し、合わせて結晶性の劣化を回避する方法を見出した。

  • 研究成果

    (11件)

すべて 2011 2010 2009 その他

すべて 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 5件) 学会発表 (5件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Direct observation of N-(group V) bonding defects in dilute nitride semiconductors using hard x-ray photoelectron spectroscopy2011

    • 著者名/発表者名
      F.Ishikawa, S.Fuyuno, K.Higashi, M.Kondow, M.Machida, H.Oji, J.-Y.Son, A.Trampert, K.Umeno, Y.Furukawa, A.Wakahara
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Lett. 98

      ページ: 121915

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Infrared Absorption Spectrum of InNP2010

    • 著者名/発表者名
      M.Kondow, F.Ishikawa, K.Umeno, Y.Furukawa, A.Wakahara
    • 雑誌名

      Appl.Phys.Exp. 3

      ページ: 011001

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Unintentional source incorporation in plasma-assisted molecular beam epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      F.Ishikawa, S.Wu, M.Kato, M.Uchiyama, K.Higashi, M.Kondow
    • 雑誌名

      Jpn.J.Appl.Phys. 48

      ページ: 125501

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Unintentional Aluminum Incorporation Related to the Introduction of Nitrogen Gas During the Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      F.Ishikawa, S.D.Wu, M.Kato, M.Uchiyama, K.Higashi, M.Kondow
    • 雑誌名

      J.Cryst.Growth 311

      ページ: 1646

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Novel Design of Current Driven Photonic Crystal Laser Diode2009

    • 著者名/発表者名
      M.Morifuji, Y.Nakaya, T.Mitamura, M.Kondow
    • 雑誌名

      IEEE Photon.Tech.Let. 21

      ページ: 513

    • 査読あり
  • [学会発表] Reduction of S-parameter by the Introduction of Nitrogen in GaNAs : Positron Annihilation and Its Comparative Study with Photoluminescence Spectroscopy2010

    • 著者名/発表者名
      H.Nakamoto, F.Ishikawa, M.Kondow, Y.Oshima, A.Yabuchi, M.Mizuno, H.Araki,Y.Shirai
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      20100934
  • [学会発表] Dry Etching of Al-rich AlxGa1-xAs Holes with High Aspect Ratio for Photonic Crystal Fabrication2010

    • 著者名/発表者名
      M.Mochizuki, T.Nakajima, D.Satoi, F.Ishikawa, M.Kondow, M.Hara, H.Aoki
    • 学会等名
      2010 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Tokyo
    • 年月日
      2010-09-23
  • [学会発表] Direct band engineering with sub-monolayer nitride into III-V quantum system2010

    • 著者名/発表者名
      F.Ishikawa, M.Morifuji, S.Furuse, K.Nagahara, M.Uchiyama, K.Higashi, M.Kondow
    • 学会等名
      The 16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy
    • 発表場所
      Berlin
    • 年月日
      2010-08-24
  • [学会発表] Temperature dependence of photoluminescence peak energy in Ga(In)NAs2010

    • 著者名/発表者名
      S.Emura, H.Nakamoto, F.Ishikawa, M.Kondow, H.Asahi
    • 学会等名
      The 30th International Conference on the Physics of Semiconductors
    • 発表場所
      Seoul
    • 年月日
      2010-07-27
  • [学会発表] Novel design of current-driven photonic crystal laser diode2009

    • 著者名/発表者名
      M.Morifuji, Y.Nakaya, T.Mitamura M.Kondow
    • 学会等名
      2009 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai
    • 発表場所
      Osaka
    • 年月日
      2009-05-15
  • [備考] ホームページ

    • URL

      http://www.e3.eei.eng.osaka-u.ac.jp

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公開日: 2012-02-13   更新日: 2016-04-21  

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