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本研究は、極限まで高品質化したAlGaNを利用し、電流注入型深紫外域半導体レーザを世界に先駆けて実現するための基礎を整備するものである。
これまでの研究過程から、特に、Al組成の高いAlGaNでは、Mgをp型不純物とし、p型導電性を実現することは、Mg材料の限界であると判断し、本年度の中で、研究方針を大きく転換し、新しい元素によるp型化に挑戦した。
その結果、現時点では公開に至っていないが、本研究課題を達成できる元素に、本研究の実施の結果、ようやくたどることが出来たようで、現在、実験結果の整理と研究データの妥当性を確認の作業を進めている最中である。
すなわち、これまでの常識を打ち破る、新しいp型電気伝導性制御の実現への突破口が、本研究の平成21年度研究成果として達成でき、電流注入型AlGaN深紫外半導体レーザの実現を目指す本研究の目的に合致した研究結果が、初めて確認できつつあり、新しい研究への展開が可能となってきた。
尚、詳しい内容は、論文等の公表の後、明らかにしたい。
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