高品質AlGaN結晶の成長と紫外・深紫外発光デバイス

2008 年度 自己評価報告書

• 研究領域: 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
• 研究課題/領域番号: 18069009
• 研究種目: 特定領域研究
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 理工系
• 研究機関: 工学院大学
• 研究代表者: 川西 英雄 工学院大学, 工学部 (70016658)
• 研究期間 (年度): 2006 – 2010
• キーワード: 深紫外半導体レーザ / 量子井戸 / 窒化物半導体 / ワイドギャップ / エピタキシャル成長

研究概要

本研究では、ワイドバンドギャップ半導体であるAlGaN 窒化物半導体の結晶品質を格段に向上させ、それを利用する事で、世界的なレベルにおいても未開拓な紫外から深紫外域で効率よく動作する光半導体デバイス、特に、本研究では「紫外から深紫外域域の半導体レーザ」に焦点を絞り、それを開拓するための基礎を固めることを目的とする。

研究成果

• [雑誌論文] Improvement of Crystal Quality of n-AlGaN by Alternate-Source-Feeding Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (2007)
  • 著者名/発表者名: Ken-ichi Isono*, Eiichiro Niikura, Koichi Murakawa, Fumio Hasegawa, and Hideo Kawanishi
  • 雑誌名: Japan J. Appl. Phys. Vol.46 ページ: 5711-5714
• [雑誌論文] Reduction of Threading Dislocations in AlGaN/AIN/SiC Epitaxial Layers by Controlled Strain with (AIN Yuu Wakamiya*, Fumio Hasegawa, /GaN) Multi-buffer-layer Structure (2007)
  • 著者名/発表者名: Kouichi Murakawa*, Eiichiro Niikura, Fumio Hasegawa, and Hideo Kawanishi
  • 雑誌名: Japan.J.Appl.Phys. Vol.46 ページ: 3301-3304
• [雑誌論文] Tm-mode lasing and anisotropic polarization properties of AlGaN multiple quantum well lasers in deep-ultraviolet spectral region (2007)
  • 著者名/発表者名: Hideo Kawanishi*, Masanori Senuma, and Takeaki Nukui
  • 雑誌名: Proceeding of SPIE Photonics West 2007 Vol.6473 ページ: 64731D
• [雑誌論文] Improvement of crystal quality of AIN and AlGaN epitaxial layers by controlling the strain with the (AIN/GaN) multi-buffer layer (2007)
  • 著者名/発表者名: Eiichiro Niikura*, Kouichi Murakawa, Fumio Hasegawa, and Hideo Kawanishi
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth Vol.298 ページ: 345-348
• [雑誌論文] Experimental energy difference between heavy- or light-hole valence band and crystal-field split-off-hole valence band in AlxGaN1-xN (2006)
  • 著者名/発表者名: Hideo Kawanishi*, Eiichiro Niikura, Mao Yamamoto, and Shoichiro Takeda
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. Vol.89 ページ: 251107-1?251107-3
• [雑誌論文] Extremely weak surface emission from (0001) c-plane AlGaN multiple quantum well structure in deep-ultraviolet spectral region (2006)
  • 著者名/発表者名: Hideo Kawanishi*, Masanori Senuma, Mao Yamamoto, Eiichiro Niikura, and Takeaki Nukui
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett Vol.89 ページ: 081121-1?081121-3
• [雑誌論文] Anisotropic polarization characteristics of lasing and spontaneous surface and edge emissions from deep-ultraviolet ( λ ?240 nm) AlGaN multiple-quantum-well lasers (2006)
  • 著者名/発表者名: Hideo Kawanishi*, Masanori Senuma, and Takeaki Nukui
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. Vol.89 ページ: 041126-1?041126-3
• [雑誌論文] 深紫外AlGaN 多重量子井戸半導体レーザー光の光学的異方特性 (2006)
  • 著者名/発表者名: 川西英雄*、瀬沼正憲、貫井猛晶
  • 雑誌名: 日本光学会(応用物理学会)光学 35巻 ページ: 265-267
• [雑誌論文] Structure and Properties of Deep-UV AlGaN MQW Laser
  • 著者名/発表者名: Hideo Kawanishi
  • 雑誌名: Proceedings of i-NOW2008 (印刷中)
• [雑誌論文] Invesigation on Conductivity at the Gan/AIN/SiC Subsrate interface for Vertical Nitraide Power FETs
  • 著者名/発表者名: Yuu Wakamiya*, Fumio Hasegawa, Hideo Kawanishi
  • 雑誌名: Physica Status Solidi (to be published)
• [学会発表] Extremely Small Edge Dislocation Density of AlN Template Grown on 4H-SiC Substrate by ASFE-MOVPE with (AlN/GaN) MBL Structure (2008)
  • 著者名/発表者名: Hideo Kawanishi
  • 学会等名: IC-MOVPE2008
  • 発表場所: フランス、Metz
  • 年月日: 20080600
• [学会発表] AlN テンプレートの高品質化 (2008)
  • 著者名/発表者名: 武田、蔦川、安斉、川西
  • 学会等名: 2008年秋季応用物理学会
  • 年月日: 20080000
• [図書] Wide Bandgap Semiconductors(第2章、第6章執筆) (2007)
  • 著者名/発表者名: K. Takahashi, 他
  • 出版者: Springer
• [図書] ワイドギャップ半導体光・電子デバイス(第二章編集、2.2.4節、5.2.7節執筆) (2006)
  • 著者名/発表者名: 監修・高橋清
  • 出版者: 森北出版