計画研究
ワットクラスの超高出力紫外レーザダイオード(LD)の実現のため、平成18年度はLD構造の下地結晶の高品質化に関する研究を実施した。紫外LDの実現には、低転位化と共にクラック抑制が最も重要な課題である。本研究では、高品質AINを得るための検討を行なった。実施内容は下記の通りである。1.2インチサイズの自立A脳基板実現のための昇華法装置の設計ならびに装置の導入AIN昇華法のシミュレーションより、下部ヒータを用いることによって、大きな温度勾配が得られ、2インチサイズの自立AIN基板の作製が可能であるという結果を得た。その結果を元に、新規昇華法装置を設計・発注し導入した。2インチサイズのAIN成長が可能であることを確認した。2.高温MOVPE法によるサファイア基板上高品質AINの実現1,800℃まで昇温可能な特別仕様なMOVPE装置を用いた。高温成長により、原子ステップが見えるような高品質AIN結晶が得られること、およびAIN中の酸素、水素、炭素、シリコン等の残留不純物濃度の低減が可能なことを明らかにした。3.横方向成長(ELO)による超高品質AINの実現高温MOVPE装置を用いて、サファイア基板上およびSiC基板上にAINのELOを行なうことによって、転位密度が10^7[cm^<-2>]以下、AFM観察においても原子ステップの乱れがほとんどない超高品質AINを実現した。4.無極性高品質a面AINの作製圧電電界抑制のための無極性a面AINの成長、ならびにELOによるa面AINの高品質化を実現した。5.高品質AIN基板上へのLED、LD試作紫外LEDを試作し、AIN下地層のクラック抑制効果、低転位化による光出力の大幅な向上を確認した。
すべて 2007 2006
すべて 雑誌論文 (26件)
Journal of Crystal Growth 298
ページ: 349-353
ページ: 288-292
ページ: 261-264
ページ: 265-267
ページ: 215-218
ページ: 257-260
Nanotechnology 18
ページ: 025401
Journal of Crystal Growth 300
ページ: 136-140
ページ: 141-144
Physica B : Condensed Matter 376-377
ページ: 460-463
ページ: 440-443
ページ: 491-495
Japanese Journal of Applied Physics 45
ページ: 2509-2513
ページ: 2502-2504
Materials Science in Semiconductor Processing 9
ページ: 168-174
Nature Materials 5
ページ: 810-816
Physica Status Solidi (c) 3
ページ: 523-1526
ページ: 1617-1619
ページ: 1392-1395
Physica Status Solidi (b) 243
ページ: 1524-1528
Physica Status Solidi (a) 203
ページ: 1632-1635
ページ: 149-153
ページ: 1626-1631
ページ: 8639-8643
Applied Physics Letters 89
ページ: 21901
ページ: 9001-9010