| 研究概要 |
紫外レーザダイオード(LD)は,現在水銀ランプを用いたリソグラフィシステムやエキシマレーザ,炭酸ガスレーザ等のガスレーザを用いた加工システムの小型化・高効率化,角膜治療,皮膚疾患部位や腫瘍部位への照射治療等新しい医療システムの実現,殺菌や空気・水の清浄化等多くの分野への応用が期待されている。本研究ではAlNを含むAlGaN系III族窒化物半導体において,(1)基板結晶の作製,極性制御基板の作製,および(2)高導電性p型およびn型結晶の実現に特化して研究を行い,更にその成果を用いて,(3)波長365nm以下のワットクラスハイパワー紫外LDの実現を目指す。
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