計画研究
・新たな無極性面InN結晶成長として、(100)LiAlO_2基板上にM面(10-10)InNの結晶成長を行った。V/III比を最適化することで、C面InNの混在を抑制し、(10-10)InN//(100)LiAlO_2、[0001]InN//[010]LiAlO_2、[1-210]InN//[001]LiAlO_2の関係を持ってシングルドメインのM面InNを成長できることを明らかにした。・無極性面p形InNの検討として、R面サファイア基板上へのMgドープA面InN結晶成長とその特性評価を行った。ECV評価の結果より、MgドープA面InNにおいてもMgドープC面InN同様に、結晶内部のバルク領域でp形伝導性を示していると考えられる結果が得られた。・高品質結晶成長実現へのアプローチとして、加工基板を用いた配列制御InNナノコラムの成長を行った。ホールパターンの形状および成長条件を最適化することにより、InNナノコラムの配列制御が可能であることを見出した。また断面TEM観察の結果、ほとんどのInNナノコラムにおいて螺旋転位、刃状転位ともに発生していないことが明らかとなった。・赤外カソードルミネッセンス(CL)法を用いて、貫通転位が発光特性に与える影響について検討を行った。貫通転位密度の異なる試料のCL結果より、InNにおいても貫通転位がCLの非発光領域として影響することが明らかとなった。・本年度導入した新規RF-MBE成長装置を用いて、GaNテンプレート基板上へ平坦な表面モフォロジー(AFM RMS値0.5nm)、良好な結晶性(XRC FWHM(0002)面で8min.、(10-12)面で25min.)、電気的特性(キャリア濃度10^<18>/cm^3台前半、移動度1200cm^2/Vs以上)を有する高品質InN結晶を安定して得られるにいたっている。
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すべて 雑誌論文 (9件) (うち査読あり 9件) 学会発表 (25件)
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