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2008 年度 実績報告書

RF-MBE法によるInNおよび関連混晶の成長と量子ナノ構造の形成

計画研究

研究領域窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
研究課題/領域番号 18069012
研究機関立命館大学

研究代表者

名西 やす之  立命館大学, 理工学部, 教授 (40268157)

キーワード窒化インジウム / 分子線エピタキシー法 / その場観察 / RHEED / ラジカルビーム / ナノコラム
研究概要

InN系結晶成長における固有の重点課題を解決し、InN系材料をベースとした光デバイス実現のためには、革新的な結晶成長手法の開発が求められる。本年度は、結晶成長のその場観察手法を駆使した高品質InN結晶成長手法開発を目指して新規に導入したRF-MBE装置を活用し、新しいInN結晶成長手法として、DERI(droplet elimination by radical beam irradiation)法を見出した。
本成長方法は、(1)Inリッチ条件下におけるInN成長と(2)窒素ラジカルビーム照射の2つのプロセスから成るものである。RHEEDその場観察により、この一連のプロセス中のRHEED回折強度をモニターすることで、Inドロップレットの形成、除去の過程をモニタリングでき、InNのストイキオメトリを窒素ラジカルビーム照射により簡便かつ再現性よく制御できることを示した。またDERI法を繰り返すことにより厚膜InN結晶を作製した結果、結晶性、表面平坦性に優れ、良好な電気的特性(10^<18>/cm^3台前半の低キャリア濃度、1200cm^2/Vs以上の高電子移動度)を有するInNが再現性よく得られることがわかった。さらにInリッチ条件下におけるInN成長の時間(T)と窒素ラジカルビーム照射によりRHEED強度回復に要した時間(τ)との相関を調べた結果、Tは過剰なIn量と比例関係にあり、Tとτの直線比例の関係が実験的に示された。この結果を応用することで、ラジカルビーム強度を推定することができ、ラジカルビームモニタリングの有効な手段としても活用できることを示した。
DERI法の利用により、再現性のある高品質厚膜InN結晶成長が可能となり、InN系結晶成長における重点課題解決に向けて画期的な進展が今後期待されよう。
高品質InN結晶成長実現への他のアプローチとして、RF-MBE法を用いたInNナノコラム成長に関する検討を進めた。成長条件の最適化により、加工基板上への配列制御InNナノコラムの作製に成功し、約0.74eVでInNナノコラムからのCL発光を確認した。

  • 研究成果

    (34件)

すべて 2009 2008

すべて 雑誌論文 (9件) (うち査読あり 9件) 学会発表 (25件)

  • [雑誌論文] Indium droplet elimination by radical beam irradiation for reproducible and highquality growth of InN by RF molecular beam epitaxy2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Express 2

      ページ: 051001/1-3

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      SPIE Photonics West 2009 Proceedings 7216

      ページ: 72160N/1-8

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Novel InN growth method under In-rich condition on GaN/Al_2O_3(0001) templates2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 6(In press)

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      J. Cryst. Growth (In press)

    • 査読あり
  • [雑誌論文] TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO2 Substrate by RF-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 6(In press)

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO_2(100) Substrate2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Takagi, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      phys. stat. sol. (c) 6(In press)

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoluminescence2008

    • 著者名/発表者名
      T. Akagi, K. Kosaka, S. Harui, D. Muto, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Journal of Electronic Materials 37

      ページ: 603-606

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Transmission Electron Microscopy Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns2008

    • 著者名/発表者名
      S. Harui, H. Tamiya, T. Akagi, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Araki and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Jpn. J. Appl. Phys 47

      ページ: 330-5332

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Photoreflectance of InN and InN : Mg layers : An evidence for Fermi level shift to wards the valence band upon Mg doping in InN2008

    • 著者名/発表者名
      R. Kudrawiec, T. Suski, J. Serafinczuk, J. Misiewicz, D. Muto, and Y. Nanishi
    • 雑誌名

      Appl. Phys. Lett 93

      ページ: 131917/1-3

    • 査読あり
  • [学会発表] LiAlO_2基板上C面混在M面InN薄膜の構造評価2009

    • 著者名/発表者名
      荒木努、野沢浩一、高木悠介、武藤大祐、山口智広、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
  • [学会発表] AlN/InNへテロ構造の作製と評価2009

    • 著者名/発表者名
      奥村昌平、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
  • [学会発表] 低温InNバッファ層を用いた高品質A面(11-20)InNの結晶成長2009

    • 著者名/発表者名
      川島圭介、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
  • [学会発表] RF-MBE法を用いたメタルリッチ条件下でのInGaN成長2009

    • 著者名/発表者名
      山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2009年(平成21年)春季第56回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      筑波大学
    • 年月日
      2009-03-30
  • [学会発表] Proposal of New InN Growth Method by MBE and Usefulness of This Method as Nitrogen Radical Beam Monitoring2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi and T. Yamaguchi
    • 学会等名
      First International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2009)
    • 発表場所
      Nagoya University
    • 年月日
      2009-03-10
  • [学会発表] Growth and Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Araki
    • 学会等名
      PDI Topical workshop on MBE-grown Nitride Nanowires
    • 発表場所
      Berlin, Germany
    • 年月日
      2009-03-05
  • [学会発表] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2009

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 学会等名
      SPIE International Symposium on Integrated Optoelectronic Devices 2009
    • 発表場所
      San Jose Convention Center (San Jose, USA)
    • 年月日
      2009-01-27
  • [学会発表] Potential, Achievements and Issues of InN and Related Alloys for Device Applications (Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, D. Muto, M. Noda, S. Harui, T. Yamaguchi, T. Araki
    • 学会等名
      International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials Applications 2008 (ICOOPMA 08)
    • 発表場所
      University of ALBERTA (EDMONTON, CANADA)
    • 年月日
      20081723
  • [学会発表] RF-MBE法を用いたLiAlO_2基板上無極性M面InNの結晶成長および構造評価2008

    • 著者名/発表者名
      高木悠介、野沢浩一、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      電子情報通信学会
    • 発表場所
      名古屋工業大学(名古屋市)
    • 年月日
      2008-11-27
  • [学会発表] RF-MBE法によるR面(10-12)Sapphire基板上、半極性面InNの結晶成長2008

    • 著者名/発表者名
      中谷佳津彦、川島圭介、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      電気関係学会関西支部連合大会
    • 発表場所
      京都工芸繊維大学
    • 年月日
      2008-11-09
  • [学会発表] RF-MBE法を用いた高In組成In GaNに対するMg dopingの検討2008

    • 著者名/発表者名
      福本英太、澤田慎也、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      第38回結晶成長国内会議(NCCG-38)
    • 発表場所
      仙台市戦災復興記念館(仙台市)
    • 年月日
      2008-11-05
  • [学会発表] Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications (Invited)2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Nanishi, T. Araki, T. Yamaguchi, D. Muto
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzerland)
    • 年月日
      2008-10-09
  • [学会発表] Novel InN growth method under In-rich condition on GaN/Al2O3(0001) templates2008

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzerland)
    • 年月日
      2008-10-09
  • [学会発表] TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO_2 Substrate by RF-MBE2008

    • 著者名/発表者名
      H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzerland)
    • 年月日
      2008-10-09
  • [学会発表] Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO_2(100) Substrate2008

    • 著者名/発表者名
      Y. Takagi, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzerland)
    • 年月日
      2008-10-09
  • [学会発表] New insight into the free carrier properties of InN2008

    • 著者名/発表者名
      V. Darakchieva, T. Hofmann, M. Schubert, B. Monemar, H. Lu, W. J. Schaff, C.-L.Y. Hsiao, T.-W. Liu, L.-C. Chen, D. Muto, Y. Nanishi
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
    • 発表場所
      Montreux Convention Center (Switzerland)
    • 年月日
      2008-10-08
  • [学会発表] GaNテンプレート上InN成長におけるRHEEDその場観察法を用いた実効的V/III比制御2008

    • 著者名/発表者名
      山口智広、野沢浩一、武藤大祐、荒木努、前田就彦、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-04
  • [学会発表] GaN/InNヘテロ構造の成長と評価2008

    • 著者名/発表者名
      武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-04
  • [学会発表] TEMを用いたM面(10-10)InNの極微構造評価2008

    • 著者名/発表者名
      野沢浩一、高木悠介、春井聡、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-03
  • [学会発表] LiAlO_2(100)基板上MgドープM面(10-10)InNの結晶成長2008

    • 著者名/発表者名
      高木悠介、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西〓之
    • 学会等名
      2008年(平成20年)秋季第69回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      中部大学(春日井市)
    • 年月日
      2008-09-03
  • [学会発表] Growth of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE on Hole-Patterned GaN Template2008

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 学会等名
      27th Electronic Materials Symposium (EMS27)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺(静岡県伊豆市)
    • 年月日
      2008-07-10
  • [学会発表] Study on Initial Growth Process of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE2008

    • 著者名/発表者名
      T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
    • 学会等名
      The Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji(静岡県)
    • 年月日
      2008-07-07
  • [学会発表] Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE2008

    • 著者名/発表者名
      T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      The Second International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
    • 発表場所
      Laforet Shuzenji(静岡県)
    • 年月日
      2008-07-07
  • [学会発表] GaN and InN intermixing during RF-MBE growth observed by XRD2008

    • 著者名/発表者名
      D. Muto, T. Yamaguchi, S. Sawada, T. Araki, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      2008Electronic Materials Conference
    • 発表場所
      University of California (Santa Barbara, USA)
    • 年月日
      2008-06-26
  • [学会発表] Photoreflectance and contactless electroreflectance investigations of the energy gap and band bending for un-doped and Mg-doped InN layers2008

    • 著者名/発表者名
      R. Kudrawiec, J. Misiewicz, T. Suski, D. Muto, and Y. Nanishi
    • 学会等名
      XXXVII International School on the Physics of Semiconducting Compounds "Jaszowiec 2008"
    • 発表場所
      Gwarek Hotel (Poland)
    • 年月日
      2008-06-07

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公開日: 2010-06-11   更新日: 2016-04-21  

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