RF-MBE法によるInNおよび関連混晶の成長と量子ナノ構造の形成

2008 年度 自己評価報告書

• 研究領域: 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
• 研究課題/領域番号: 18069012
• 研究種目: 特定領域研究
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 理工系
• 研究機関: 立命館大学
• 研究代表者: 名西 やす之 立命館大学, 理工学部, 教授 (40268157)
• 研究期間 (年度): 2006 – 2010
• キーワード: InN / RF-MBE / 窒化物半導体 / ナノ構造

研究概要

InNのバンドギャップエネルギーが0.65eV程度であることが明らかになり、本材料およびその混晶を利用した新しい窒化物半導体ナノエレクトロニクス応用への期待が一挙に強まっている。本研究では、分解温度が低いために低温成長が要求されるこれらの材料に対し、低温成長とナノレベルの薄膜制御性に優位性をもち、現在までもっとも高い実績を有するRF-MBE法によるアプローチを行い、その過程で、RF-MBE成長におけるこれらの材料に固有の課題を重点的に検討し、デバイス品質の材料とナノ構造を実現するための科学的・技術的知見を得ることを目的とする。

研究成果

• [雑誌論文] Indium droplet elimination by radical beam irradiation for reproducible and high-quality growth of InN by RF molecular beam epitaxy (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Yamaguchi and Y. Nanishi
  • 雑誌名: Applied Physics Express 2 051001 ページ: 1-3
  • 査読あり
• [雑誌論文] Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE (2009)
  • 著者名/発表者名: T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi
  • 雑誌名: Proc. of SPIE 7216 72160N ページ: 1-8
  • 査読あり
• [雑誌論文] Transmission Electron Microscopy Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns (2008)
  • 著者名/発表者名: S. Harui, H. Tamiya, T. Akagi, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Araki and Y. Nanishi
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 47 ページ: 5330-5332
  • 査読あり
• [雑誌論文] Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoluminescence (2008)
  • 著者名/発表者名: T. Akagi, K. Kosaka, S. Harui, D. Muto, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi
  • 雑誌名: J. Electronic Materials 37 ページ: 603-606
  • 査読あり
• [雑誌論文] Mg-doped N-polar InN Grown by RF-MBE (2007)
  • 著者名/発表者名: D. Muto, H. Naoi, S. Takado, H. Na, T. Araki, and Y. Nanishi
  • 雑誌名: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 955 ページ: 0955-I08-01
  • 査読あり
• [学会発表] Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Nanishi, T. Araki, T. Yamaguchi, D. Muto
  • 学会等名: International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008)
  • 発表場所: Montreux, Switzerland
  • 年月日: 20081000
• [学会発表] Potential, Achievements and Issues of InN and Related Alloys for Device Applications (2008)
  • 著者名/発表者名: Y. Nanishi, D. Muto, M. Noda, S. Harui, T. Yamaguchi, T. Araki
  • 学会等名: International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials Applications 2008 (ICOOPMA08)
  • 発表場所: Edmonton, Canada
  • 年月日: 20080700
• [学会発表] Electrical Properties of P-type N-polar InN Grown by RF-MBE (2007)
  • 著者名/発表者名: D. Muto, H. Naoi, S. Fukumoto, K. M. Yu, N. Miller, R. E. Jones, J. W. Ager III, E. E. Haller, T. Araki, Y. Nanishi, and W. Walukiewicz
  • 学会等名: 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7)
  • 発表場所: Las Vegas, USA
  • 年月日: 20070900
• [学会発表] Polar and Non-polar Growth of InN and InGaN (2007)
  • 著者名/発表者名: Y. Nanishi, H. Naoi, D. Muto, T. Hioka, Y. Hayakawa, Y. Kumagai, M. Noda, and T. Araki
  • 学会等名: The 3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS 2007)
  • 発表場所: Jeonju, Korea
  • 年月日: 20070300
• [図書] Chapter: 1 - Molecular-beam epitaxy of InN in Indium Nitride and Related Alloys (2009)
  • 著者名/発表者名: Y. Nanishi, T. Araki and T. Yamaguchi (Editors: T. D. Veal, C. F. McConville, and W. J. Schaff)