| 研究領域 | 窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現- |
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| 研究課題/領域番号 |
18069012
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| 研究種目 |
特定領域研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 立命館大学 |
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研究代表者 |
名西 やす之 立命館大学, 理工学部, 教授 (40268157)
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| 研究分担者 |
荒木 努 立命館大学, 理工学, 准教授 (20312126)
直井 弘之 立命館大学, COE推進機構, ポストドクトラルフェロー (10373101)
HYUNSEOK Na 立命館大学, COE推進機構, ポストドクトラルフェロー (80411239)
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| 連携研究者 |
山口 智広 立命館大学, 総合理工学研究機構, ポストドクトラルフェロー (50454517)
金子 昌充 立命館大学, 総合理工学研究機構, ポストドクトラルフェロー (70374709)
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| 研究協力者 |
王 科 立命館大学, 総合理工学研究機構, 日本学術振興会特別研究員
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| 研究期間 (年度) |
2006 – 2010
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| キーワード | InN / RF-MBE / 窒化物半導体 / ナノ構造 |
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| 研究概要 |
RF-MBE法を駆使して、InN系窒化物半導体結晶成長における本質的課題の解決を目指した。再成長やナノコラム成長による貫通転位密度低減技術を開発した。またDERI法の開発により、再現性よく低キャリア濃度の厚膜InNを得られるようになった他、新しいInN/InGaNヘテロ構造、InGaN厚膜作製技術を開発した。無極性面InNの結晶成長技術開発にも成功した。さらにMgセル温度、構造の最適化、DERI法の応用などにより、再現性よくMgドープp型InN成長に成功した。
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