計画研究
特定領域研究
スピン流を利用した次世代エレクトロニクス素子を実現するためには、非磁性半導体もしくは非磁性金属にスピン偏極した電子を高効率に注入することが不可欠である。本研究課題は、電子状態の第一原理計算に基づいて高効率なスピン源を理論設計することを目的として、高スピン偏極強磁性体(ハーフメタル)を利用したヘテロ構造やスピンフィルタ機能を発現する量子ナノ構造におけるスピン依存電気伝導を第一原理計算する。ヘテロ接合界面や量子ナノ構造における原子配列と電子状態およびスピン依存電気伝導との関連を明らかにして、スピン源として有効な材料・構造を理論的に設計する。また、スピン軌道相互作用やスピン配列の熱ゆらぎがスピン源としての機能に及ぼす影響を理論的に検討すると共に、磁気異方性の電界制御を利用したスピン注入磁化反転の臨界電流密度の低減策を提案する。
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すべて 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 5件)
Physical Review B Vol.81, Article No.144417
ページ: 1-6
Physical Review Letters Vol.102, Article No.247203
ページ: 1-4
Physical Review B Vol.79, Article No.100405(R)
Journal of Physics: Condensed Matter Vol.21,ArticleNo.064244
ページ: 1-5
Physical Review B Vol.78, Article No.064416
ページ: 1-9