| 研究領域 | スピン流の創出と制御 |
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| 研究課題/領域番号 |
19048014
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
大谷 義近 東京大学, 物性研究所, 教授 (60245610)
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| 研究分担者 |
井上 順一郎 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (60115532)
新田 淳作 東北大学, 工学研究科, 教授 (00393778)
秋永 広幸 独)産業技術総合研究所, ナノテクノロジー研究部門, 研究グループ長 (90221712)
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| キーワード | スピン注入 / スピン蓄積 / スピン起動相互作用 / スピン流 / スピンホール効果 |
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| 研究概要 |
本特定領域研究・研究項目「スピン流とナノヘテロ構造」では、金属、半導体、酸化物等で構成されるナノヘテロ構造を用いて電荷流からスピン流を効率良く生成し、伝播させ、更に電荷流に再変換する新たな操作原理を探索し、その手法を確立することを目的とする。本調整班の役割は、4つの研究グループが有機的に結びついて相互に情報交換しながら進展するための支援体制を構築することである。最終年度は、この研究プロジェクトで構築したネットワークを用いてグループ間で情報交換しながら、計画通りに国内外の学会及び研究会で講演、あるいは論文として成果を発表した。主な成果の一つとして我々のグループと理論担当の井上・紺谷グループと連携して行った4d5d遷移金属のスピンホール効果の内因性(電子構造に由来する)発生機構に関する研究が挙げられる。4d原子の持つ原始的なスピン軌道相互作用が誘因する内因性機構がスピンホール伝導度の符号の変化及びd電子数依存性の存在などについて実験と理論の両面から明らかにした。この成果はPhysical Review B誌に出版された。更に、国際会議参加を通じた情報収集からは、5d遷移金属Ir不純物に起因する外因性スピンホール効果に関する日仏の共同研究を遂行し、インパクトのある成果を得ることができた。この結果はPhysical Review Letter誌に採択され出版された。このように、研究活動の国際的な発展に結び付く成果が上がった。
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