| 研究領域 | スピン流の創出と制御 |
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| 研究課題/領域番号 |
19048018
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
田中 雅明 東京大学, 大学院・工学系研究科, 教授 (30192636)
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| 研究分担者 |
大矢 忍 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助教 (20401143)
吉田 博 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (30133929)
佐藤 和則 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (60379097)
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| キーワード | スピン / スピン偏極電流 / スピントランジスタ / スピン依存伝導 / 磁気抵抗効果 / 磁性半導体 / MnAs / スピン注入 |
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| 研究概要 |
不揮発性メモリ機能および再構成可能な機能をもつデバイス作製のための材料形成および物性機能の制御を目指した基礎研究を行った。特に、デバイスの構成要素であるIII-V族およびIV族ベースの磁性半導体、III-V族およびIV族半導体と整合性の良い強磁性金属とそのヘテロ構造のエピタキシャル成長による形成、評価、物性制御の研究が中心である。平成19年度は、分子線エピタキシー装置により、下記の薄膜およびヘテロ構造の作製と物性評価を行った。
・MnドープGe、FeドープGeおよびそのヘテロ構造
・FeSi系化合物
・MnAs/Siヘテロ構造
・MnドープGaAsおよびそのヘテロ構造
・GaAs:MnAsナノ微粒子からなるグラニュラー構造
MnAs/Siヘテロ構造については、スピンMOSFETデバイス構造を作製し、MOS反転層へのスピン注入実験を行った。
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