計画研究
不揮発性メモリ機能および再構成可能な機能をもつデバイス作製のための材料形成および物性機能の制御を目指した基礎研究を行う。特に、デバイスの構成要素であるIII-V族およびIV族ベースの磁性半導体、III-V族およびIV族半導体と整合性の良い強磁性金属とそのヘテロ構造のエピタキシャル成長による形成、評価、物性制御の研究を中心に行った。平成20年度は、前年度に引き続き、分子線エピタキシー装置により、1)IV族系材料として、MnドープGe、FeドープGeおよびそのヘテロ構造、FeSi系化合物、MnAs/Siヘテロ構造2)III-V族系材料として、MnドープGaAsおよびそのヘテロ構造、MnドープInGaAsおよびそのヘテロ構造3)MnAs微粒子を含む半導体ヘテロ構造の結晶成長を行い、物性機能を制御できるようにするとともに、スピン依存伝導を測定し、2端子素子(磁気抵抗素子)および3端子素子(スピントランジスタ)を試作し、その基本特性を明らかにした。
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すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件) 学会発表 (1件) 図書 (1件) 備考 (1件) 産業財産権 (1件) (うち外国 1件)
Nature 458
ページ: 489-492
Phys. Rev. B 77
ページ: 155203/1-8
Jpn. J. Appl. Phys. 47, (2008) 47
ページ: 7108-7112
http://www.cryst.t.u-tokyo.ac.jp/
