計画研究
特定領域研究
従来の半導体デバイスや集積回路では持ち得なかった「不揮発性」と「再構成可能性」の機能をもつ材料とデバイス、特にスピン偏極電流制御デバイスを実現する。半導体材料あるいはデバイス構造中に磁性元素や強磁性材料を構成要素として取り込み、キャリアの電荷輸送に加えてスピン自由度、特に「スピン偏極電流」を活用する新しい機能材料やデバイスをつくる。具体的には、1)III-V族半導体をベースとした接合型スピントランジスタ、2)IV族半導体をベースとしたMOSFET型のスピンデバイス、3)磁性金属微粒子と半導体からなる複合構造をベースとした単電子スピントランジスタの材料プロセス基盤技術を確立し、素子を試作実現する。
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Nature Physics 7
ページ: 342-347
J.Appl.Phys. 109
ページ: 073919-1-"073919-9"
Applied Physics Express 3
ページ: 123002-1-"123002-3"
Jpn.J.Appl.Phys. 49
ページ: 113001-1-"113001-3"
Nature Nanotechnology 5
ページ: 593-596
Phys.Rev.Lett. 104
ページ: 167204-1-"167204-4"
Appl.Phys.Lett. 96
ページ: 052505-1-"052505-3"
Nature 458
ページ: 489-492
Semiconductors and Semimetals 82
ページ: 433-454
Phys.Rev.Lett. 100
ページ: 247202
Phys.Rev.B 77
ページ: 214435-1-"214435-6"
Appl.Phys.Lett. 90
ページ: 162505-1-"162505-3"
Phys.Rev.B 75
ページ: 155328-1-"155328-6"
Invited paper in the Special Issue on Spintronics, IEEE Transactions on Electron Devices Vol.54(Invited paper)
ページ: 961-976
Jpn.J.Appl.Phys. 46
ページ: 6579-6585
ページ: L1120-L1122
http://www.cryst.t.u-tokyo.ac.jp/
http://www.u-tokyo.ac.jp/coe/english/achievements/report01.html