| 研究概要 |
サブナノ籠構造をもつワイドギャップ絶縁体12CaO・7Al_2O_3(C12A7)に高濃度電子ドーピングを施したC12A7:e^-について、下記の成果が得られた。
1. 昨年度に確立した、高ドープC12A7:e^-薄膜の低温酸化による伝導特性制御方法によりC12A7:e^-ナノワイアの伝導度を変え、再度ゲート電極を形成したナノワイアトランジスタを作製した。
2. これらについて電気特性を測定したところ、電気伝導度が下がるに連れてソースードレイン電流変調が大きくなり、トランジスタ動作することを確認した。
3. Pt/C12A7/C12A7:e^-/Pt構造を持つデバイスを作製し、直流電圧引加により電気抵抗が2桁変化する抵抗変化メモリーとして動作することを確認した。
また、層状構造を持つ結晶について、以下の知見を得た。
4. MnAs層を有する化合物、LaMnOP, BaMn_2P_2、KMnPの結晶構造、電子構造、スピン構造をGGA+U法を用いた第一原理計算であきらかにし、層間のスピン相互作用は、層間距離の小さいBaMn_2P_2のみで発現することを
5. 水蒸気暴露で超伝導が発現するとがわかっているSrFe 2As 2についてH2O関連の不純物および他の点欠陥の生成エネルギーを第一原理法で計算し、インターカレーションで超伝導が発現しているのではないことを確認した。
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