配列ナノ空間物質を利用した次世代半導体デバイス

研究成果発表報告書

• 研究領域: 配列ナノ空間を利用した新物質科学:ユビキタス元素戦略
• 研究課題/領域番号: 19051017
• 研究種目: 特定領域研究
• 配分区分: 補助金
• 審査区分: 理工系
• 研究機関: 独立行政法人産業技術総合研究所
• 研究代表者: 金山 敏彦 独立行政法人産業技術総合研究所, 情報通信・エレクトロニクス分野, 研究統括 (70356799)
• 研究分担者: 多田 哲也 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロ二クス研究部門, グループ長 (40188248) ; 宮崎 剛英 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノシステム研究部門, 主任研究員 (10212242) ; 内田 紀行 独立行政法人産業技術総合研究所, ナノエレクトロ二クス研究部門, 研究員 (60400636)
• 研究期間 (年度): 2007 – 2011

研究成果

• [産業財産権] 半導体コンタクト構造及びその形成方法 (2014)
  • 発明者名: 内田 紀行, 金山 敏彦
  • 権利者名: 産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 特願2014-503769
  • 出願年月日: 2014-08-26
  • 取得年月日: 2016-11-25
• [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法 (2013)
  • 発明者名: 金山 敏彦, 内田 紀行
  • 権利者名: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • 産業財産権番号: 10-1228883
  • 取得年月日: 2013-01-28
  • 外国
• [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法 (2013)
  • 発明者名: 金山 敏彦
  • 権利者名: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 12/919443
  • 取得年月日: 2013-02-05
  • 外国
• [産業財産権] 薄膜トランジスタ (2013)
  • 発明者名: 内田 紀行, 宮崎 剛英, 金山 敏彦
  • 権利者名: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特願
  • 産業財産権番号: 2010-253936
  • 取得年月日: 2013-02-15
• [産業財産権] 半導体コンタクト構造及びその形成方法 (2013)
  • 発明者名: 内田 紀行, 金山 敏彦, 岡田 直也
  • 権利者名: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: PCT/JP2013/054682
  • 出願年月日: 2013-02-25
  • 外国
• [産業財産権] 薄膜トランジスタ (2011)
  • 発明者名: 内田 紀行, 金山 敏彦, 宮崎 剛英
  • 権利者名: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 第4660743号
  • 取得年月日: 2011-01-14
• [産業財産権] (旧名称)ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法 (新名称)ナノ結晶半導体材料及びその製造方法 (2011)
  • 発明者名: 内田 紀行, 金山 敏彦
  • 権利者名: 国立研究開発法人産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 特願2011-199630
  • 出願年月日: 2011-09-13
  • 取得年月日: 2015-05-29
• [産業財産権] 薄膜トランジスタ (2010)
  • 発明者名: 内田 紀行, 宮崎 剛英, 金山 敏彦
  • 権利者名: (独)産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 特願2010-253936
  • 出願年月日: 2010-11-12
• [産業財産権] ナノ結晶凝集半導体材料及びその製造方法 (2010)
  • 発明者名: 金山 敏彦, 内田 紀行
  • 権利者名: (独)産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 特願2010-207987
  • 出願年月日: 2010-09-16
• [産業財産権] 薄膜トランジスタ (2010)
  • 発明者名: 内田 紀行, 金山 敏彦, 宮崎 剛英
  • 権利者名: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 特願2010-182188
  • 出願年月日: 2010-08-17
• [産業財産権] 薄膜トランジスタ (2010)
  • 発明者名: 内田 紀行, 金山 敏彦, 宮崎 剛英
  • 権利者名: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: PCT/JP2010/064021
  • 出願年月日: 2010-08-19
  • 外国
• [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法 (2010)
  • 発明者名: 金山 敏彦, 内田 紀行
  • 権利者名: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 200980106376.8
  • 出願年月日: 2010-08-25
  • 取得年月日: 2014-06-18
  • 外国
• [産業財産権] 薄膜トランジスタ (2009)
  • 発明者名: 内田 紀行, 金山 敏彦
  • 権利者名: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 特願2009-191603
  • 出願年月日: 2009-08-21
• [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法 (2009)
  • 発明者名: 金山 敏彦, 内田 紀行
  • 権利者名: (独)産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: PCT/JP2009/053422, 200980106376.8
  • 出願年月日: 2009-02-25
  • 外国
• [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法 (2009)
  • 発明者名: 金山 敏彦, 内田 紀行
  • 権利者名: (独)産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: PCT/JP2009/053422, 09714676.5EP
  • 出願年月日: 2009-02-25
  • 外国
• [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法 (2009)
  • 発明者名: 金山 敏彦, 内田 紀行
  • 権利者名: (独)産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: PCT/JP2009/053422, 10-2010-7020222
  • 出願年月日: 2009-02-25
  • 外国
• [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法 (2009)
  • 発明者名: 金山 敏彦, 内田 紀行
  • 権利者名: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: PCT/JP2009/053422, 12/919443
  • 出願年月日: 2009-02-25
  • 外国
• [産業財産権] 金属珪素化合物薄膜及びその製造方法 (2009)
  • 発明者名: 金山 敏彦, 内田 紀行
  • 権利者名: 独立行政法人産業技術総合研究所
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 特願2009-037261
  • 出願年月日: 2009-02-20
  • 取得年月日: 2014-01-31