| 研究概要 |
種々の材料における機能発現は、転位、粒界、界面などの格子不整合領域に偏析、集積したドーパント(機能元素)に依存する。本計画研究では、この機能元素の役割を明らかにし、機能元素の理論予測に立脚した新規材料の創製を行っていくことを目的としている。具体的には、(1)PLD法による複合酸化物薄膜形成時の陽イオン比レーザーフルーエンス依存性の精密制御法、さらには陽イオン空孔の制御法を確立させる。最終的には陽イオン空孔を制御した新たな機能性薄膜材の作成を行う。(2)MOCVD法による選択横方向成長による高品位化合物半導体薄膜結晶を得るための成長条件の確定、および、得られた薄膜における貫通転位の形成状態と薄膜の物性との相関性について明らかにし、従来以上の高い結晶性を有した化合物半導体薄膜を作製する。(3)GaN, AlN,などの化合物半導体、STOなどの複合酸化物薄膜中の貫通転位を利用した転位ナノ細線を作成し、その物性と原子構造などとの相関性を明らかにする。最終的には、転位を利用した新たな機能材料の創成に挑戦する。
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