計画研究
特定領域研究
原子・分子レベルの物理・化学視点に立つ新たなデバイス創出プロセスとしてチューブ1本、1本を対象とするナノスコピックプラズマプロセスを提唱する。具体的には先ず、申請者らが開発した拡散プラズマ支援化学気相堆積(CVD)法により、単独・孤立垂直配向の単層と二層カーボンナノチューブ(SWNT、DWNT)を平面基板上に低温成長させる。次に、電荷活用原子(Cs等のアルカリ金属、Ca等の同土類金属、I等のハロゲン)及びフラーレン(C_<60>、C_<70>、C_<84>、C_<59>N、原子内包C_<60>)等の分子、更にスピン活用原子(Fe等の強磁性金属)の正と負のイオンから成る新規異種イオンプラズマを生成・制御し、基板バイアス法を用いてチューブ内部空間にプラズマイオン注入を選択的に行う。最終的には、本プロセスの体系的制御・駆使により、超高度ナノ構造を有する単独・孤立配向カーボンナノチューブ1本による1次元ナノデバイス(ダイオード、共鳴トンネル伝導体、超伝導体、磁性半導体、発光体、光電変換体等)創成に資する。また、研究展開に応じてそれらの薄膜化によるデバイス創成も視野に入れる。
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すべて 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 5件) 学会発表 (1件) 備考 (2件)
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http://www.plasma.ecei.tohoku.ac.jp
http://ir.library.tohoku.ac.jp/