| 研究領域 | カーボンナノチューブナノエレクトロニクス |
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| 研究課題/領域番号 |
19054006
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| 研究機関 | 名古屋大学 |
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研究代表者 |
水谷 孝 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (70273290)
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| 研究分担者 |
岸本 茂 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教 (10186215)
大野 雄高 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 准教授 (10324451)
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| キーワード | CNTFET / 走査型局所ゲート顕微鏡 / 欠陥 / 発光効率 / 電子/正孔同時注入 / 優先成長 |
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| 研究概要 |
1.発光の基本となる電子/正孔同時注入動作を実現する方法として、昨年度開発した分離デュアルゲート電界注入素子作製技術を適用してそしを作製し、本素子からの発光を確認した。低電圧では発光せず発光半値幅が広い。この解決が課題である。
2.H22年度より本特定のテーマとなったカーボンナノチューブ薄膜トランジスタについて、中規模集積回路(108個のトランジスタよりなるング発振器)を作製し、動作実証に成功した。素子特性の均一性が高く、本素子構造・プロセスの技術成熟度が高いことを示している。動作速度は0.51μsと従来報告値よりも二桁高速であり、薄膜トランジスタディスプレイに適用可能なレベルである。
3.カーボンナノチューブ(CNT)薄膜トランジスタの評価に、これまでに開発を進めてきた走査型プローブ顕微鏡を技術を適用し、高密度にランダム配置したCNT薄膜チャネルにおいても、サブスレッシュホールド領域では、チャネルが島状となることを見出すとともに、モンテカルロシミュレーションにより、その原因を明らかに示した。
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