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単層カーボンナノチューブ(SWNT)の特異な光学特性をデバイスに応用するために、その発光や非線形光学応答、磁気光学効果を解析し、デバイス応用への基本指針を得ることを目的とする。
具体的には、SWNT固有の光学応答を調べるため、孤立したSWNTを用い、個々のSWNTの励起発光分光測定を行う。また、SWNT集合体について、非線形応答特性や時間応答特性を明らかにする。さらに、デバイス特性制御を目的として、その場計測法による成長機構の解析に立脚し、触媒種と基板の選択によるカイラリティ制御に向けた研究を推進する。
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