| 研究領域 | 高次π空間の創発と機能開発 |
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| 研究課題/領域番号 |
20108002
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| 研究種目 |
新学術領域研究(研究領域提案型)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
赤阪 健 筑波大学, 数理物質系, 教授 (60089810)
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| 研究分担者 |
土屋 敬広 筑波大学, 数理物質系, 講師 (10375412)
山田 道夫 東京学芸大学, 教育学部, 助教 (00583098)
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| 連携研究者 |
永瀬 茂 京都大学, 福井謙一記念研究センター, シニアリサーチャー (30134901)
前田 優 東京学芸大学, 教育学部, 准教授 (10345324)
生沼 みどり 筑波大学, 数理物質系, 講師 (20323256)
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| 研究期間 (年度) |
2008 – 2012
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| キーワード | フラーレン / 化学修飾 / 集積化 / FET |
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| 研究概要 |
本研究では球状π空間を有するフラーレンの内部に常磁性金属を内包した金属内包フラーレンに着目し、その1,3-双極子環化付加反応およびカルベン付加反応を用いた種々の常磁性内包フラーレン誘導体を合成した。La@C_<82> 誘導体単結晶の電荷輸送特性を調べたところ、μ=10cm^2V^<-1>s^<-1>という値が見積もられた。この電子移動度はこれまでに報告された有機材料の中でも格段に高い値であり、配向制御されたLa@C_<82> 誘導体が非常に優れた電荷輸送特性を有することを示す結果である。
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