| 研究実績の概要 |
前年度までの検討で行ったπ電子系金属錯体アレイの固相合成においては、各ステップでの反応収率が定量的ではないため、金属錯体の数が二桁に迫るような巨大なアレイの構築には難があった。そこで、固相合成で比較的短いアレイを作成後、それらを溶液中のカップリング反応で連結するという二段階のアプローチを検討した。その結果、5核錯体と3核錯体から8核錯体が構築できることを実験的に確認し、本アプローチの有用性を実証した。また、前年度の検討で見いだした金属錯体アレイのゲル化についてより深い知見を得るため、種々の金属錯体アレイおよびその金属錯体化される前の前駆体について自己集積能を調べた。その結果、ある種の金属錯体アレイおよびその金属錯体化される前の前駆体がβシート形成を介して繊維状集積体を形成し、その結果ゲルを形成することが明らかになった。
これとは別に、、前年の検討で構築した常磁性金属錯体の二次元結晶とC60の相互作用を検討した結果、昇華により金属錯体の二次元結晶上にC60を導入できることが明らかとなった。導入したC60の錯体に対する配向を調べたところ、C60の6,6結合が頂上に位置する配向（配向1）と、C60骨格中の炭素原子一つが頂上に位置する配向（配向2）の二種類が観測され、後者が過半数を占めることからより安定な配向であることが示唆された。STMチップを用いた電圧の印可により、配向1と2の間で可逆なスイッチが可能であり、これにより基盤方向へのコンダクタンスをスイッチ出来ることが分かった。
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