| 研究領域 | 分子自由度が拓く新物質科学 |
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| 研究課題/領域番号 |
20110002
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
鹿野田 一司 東京大学, 大学院・工学研究系, 教授 (20194946)
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| 研究分担者 |
高橋 利宏 学習院大学, 理学部, 教授 (60163276)
小林 晃人 名古屋大学, 高等研究院, 特任講師 (80335009)
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| キーワード | 強相関電子系 / 磁性 / 低温物性 / 半導体物性 / 分子性固体 / ゼロギャップ / 電荷秩序 / 磁場誘起超伝導 |
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| 研究概要 |
[鹿野田]
高圧下でゼロギャップ状態にあると考えられているθ-(BEDT-TTF)2I3を対称物質として13CNMR測定を行った。得られたデータの定量的な議論が必要となるため、まず常圧下における金属相においてNMR信号の角度依存性を測定し超微細結合定数を決定した。さらにスピン-格子緩和率の温度依存性の測定から常圧金属相では電子相関はあまり強くないことを明らかにした。
[高橋]
a型ET213およびそのSe置換体の単結晶試料のNMR吸収線の角度依存の解析から単位胞内の分子ごとに局所磁化率を測定する手法を確立した。低温高圧下で「ゼロギャップ状態」が実現しているとして注目されているET213系で10kbar加圧下とSe置換体物質(化学的圧力に相当する)のNMR吸収線解析から、単位胞内4つのドナー分子(二つのA、B及びC)のうちB分子の局所磁化率は他の分子とは異なり、温度降下に対し大きく減少することを明らかにした。
[小林]
分子性導体の電子系の特性が生み出す新しい電子状態を探索をめざし、α-(BEDT-TTF)213におけるゼロギャップ状態およびTMTSF塩における揺らぎによる超伝導についての理論研究を行った。具体的にはα-(BEDT-TTF)213のゼロギャップ状態における電荷不均一化と局所磁化率・核磁気共鳴緩和率の関係を明らかにし、実験と矛盾しない結果を得た。また動的誘電関数と光学伝導率のtiting効果を含む解析的表式を導出した。TMTSF塩では摂動論的および非摂動論的アプローチによりトリプレット超伝導の可能性を調べ、発現機構の解明に資する重要な知見を得た。
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