計画研究
金属電極と分子間の界面を制御することによって発現する物理現象を利用した新規電子・発光デバイスの構築を目指して研究を開始した。初年度としていくつかの実験設備の立ち上げを行っている。ナノギャップ平坦電極作成における素子構造の多様化を目的とし、これまで我々の技術では誘電体薄膜を有する独立電極を作製することが出来なかった為、誘電体薄膜作製装置の立ち上げを行った。また電子線リソグラフィー装置において、目標とする素子はより正確な位置決めを必要とする為、描画システムの習熟と整備を行った。また、界面物性評価システムの整備として、超高真空フォトンSTMの立ち上げを行い、表面原子像の取得とフォトン検出の確認までを達成した。得られた研究結果としては研究期間開始以前に作製した平坦ナノギャップ電極を用い、電極上にポリチオフェンを架橋させ、新規素子の動作実験及び分子鎖内の電荷輸送特性を調べるという実験を行った。特に電荷輸送特性評価の結果として、低温における移動度の温度依存性が分子鎖内のみ特異な変化を示すという低次元導体における興味深い新規物理現象を見出した。一方で新規素子機能の発現としては期待したような結果は得られていない。また、新規EL素子の研究では金属と有機界面に発生する表面プラズモン共鳴を利用したEL素子からの発光強度増強を目指した。従来の有機EL素子の陽極(ITO)面に粒径約20nmの金ナノ粒子を組み込ん素子構造を構築することにより,約40倍の発光増幅および安定化を達成した。
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