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2010 年度 実績報告書

次世代透明半導体・高密度窒化ホウ素のプラズマ・レーザによる低コスト合成法

計画研究

研究領域プラズマとナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成
研究課題/領域番号 21110011
研究機関独立行政法人物質・材料研究機構

研究代表者

小松 正二郎  独立行政法人物質・材料研究機構, 半導体材料センター, グループリーダー (60183810)

研究分担者 知京 豊裕  独立行政法人物質・材料研究機構, 半導体材料センター, センター長 (10354333)
小林 一昭  独立行政法人物質・材料研究機構, 計算科学センター, 主幹研究員 (00354150)
キーワードプラズマ / レーザ / 透明半導体 / BN / 薄膜
研究概要

本プロジェクトで用いられる主要な合成手法であるレーザ支援プラズマCVDによる高密度BNの生成において、「光誘起相変化」が枢要な素過程の一つである。又、透明半導体開発において、ドーピングが基礎的な手法である。この光誘起相変化とドーピング双方の基礎研究において、結晶構造の詳細な解明が不可欠である。又、本手法によって新規結晶構造を持つsp^3-結合性BN多形(複数)が発見されたが、c軸方向に異常に伸びた単位胞は、素励起の有効径との相互作用が強くなることによる新物性を期待させる。従って、結晶多形現象の解析はプロジェクト前半において大きな課題になった。そこで、われわれは、第一原理計算による二元系化合物(一般的にABと表記)における多形の熱力学的安定性(準安定性)を求め、実験的に得られたデータの意味づけを試みた。そこで、結晶構造解析の指標として、(1)close-packing index、(2)hexagonality、及び(3)metastabilityの三者を新たに導入することにより、それらの間に美しい線形的法則性が存在することを発見した。特にhexagonalityがc軸方向に於けるA^<δ->-B^<δ+>のイオン・ペアリングによる構造安定化(イオン結合性の弱い場合には不安定化)への寄与を強く反映する指標であることを示すことができた。これは、今後ドーピング・サイトの検討、三元系への拡張などにおいて、指導的原理として活用できる発見である。又、バンドギャップの大きいBNの可視域における透明性の利用として、p-型BN/n-型Siヘテロ接合太陽電池を試作した。ここで、受光面BN上にITO透明電極、si下面にAl/Mo電極を形成し、4%の効率を達成できた。ここでBNの透明性により、BN/Si界面までの太陽光の到達効率が向上されるメリットがあり、BNの透明性と耐久性の長所を活用した太陽電池の可能性を示すことが出来た。又、このヘテロ接合太陽電池の測定結果を説明できるバンド・ダイアグラムを提案することが出来た。

  • 研究成果

    (13件)

すべて 2011 2010

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 3件) 学会発表 (10件)

  • [雑誌論文] Photoinduced Phase Transformations in Boron Nitride : New Polytypic Forms of sp3-Bonded (6H- and 30H-) BN2010

    • 著者名/発表者名
      Shojiro Komatsu, Kazuaki Kobayashi, Yuhei Sato, Daisuke Hirano, Takuya Nakamura, Takahiro Nagata, Toyohiro Chikyo, Takayuki Watanabe, Takeo Takizawa, Katsumitsu Nakamura, Takuya Hashimoto
    • 雑誌名

      J.Phys.Chem.C

      巻: 114 ページ: 13176-13186

    • 査読あり
  • [雑誌論文] First-Principles Study of 30H-BN Polytypes2010

    • 著者名/発表者名
      Kazuaki Kobayashi, Shojiro Komatsu
    • 雑誌名

      Materials Transactions

      巻: 51(9) ページ: 1497-1503

    • 査読あり
  • [雑誌論文] First-principles study of 6H-AlN under various pressure conditions2010

    • 著者名/発表者名
      Kazuaki Kobayashi, Shojiro Komatsu
    • 雑誌名

      Journal of Physics : Conference Series

      巻: 215 ページ: 012111-1-012111-9

    • 査読あり
  • [学会発表] レーザプラズマシナジーデポジションによる新しいBN半導体薄膜:そのsp3結合性多型と機能性形態について/New semiconducting BN films with sp3-bonded polytypic structures and functional morphologies prepared by laser-plasma synergetic deposition methods2011

    • 著者名/発表者名
      小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
    • 学会等名
      The 2nd International Workshop on Plasma Nano-Interfaces
    • 発表場所
      Slovenia, Krvavcem, Hotel Raj(招待講演)
    • 年月日
      20110301-20110304
  • [学会発表] 光支援プラズマCVDによるsp3結合性BNの新結晶相:基礎と電デバイスへの応用/New phases of sp3-bonded boron nitride prepared by photo-assisted plasma processing methods : the fundamentals and applications to electronic devices2011

    • 著者名/発表者名
      小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
    • 学会等名
      ICACNM-2011
    • 発表場所
      India, Chandigarh, Panjab University(招待講演)
    • 年月日
      20110223-20110226
  • [学会発表] レーザプラズマ同期法による新規半導体sp3-結合性BN薄膜とその機能性/New semiconducting BN films with sp3-bonded polytypic structures and functional morphologies prepared by laser-plasma synergetic deposition methods2011

    • 著者名/発表者名
      小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
    • 学会等名
      ICNC 2011
    • 発表場所
      India, Kottayam, Mahatma Gandhi University(招待講演)
    • 年月日
      20110107-20110109
  • [学会発表] p3結合精BNの新規結晶相:そのレーザプラズマ複合化プロセスによる作製と応用/Sp3-bonded new phases of BN ; their growth by laser-plasma synchronous processing and applications2010

    • 著者名/発表者名
      小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
    • 学会等名
      TENCON2010
    • 発表場所
      福岡国際会議場
    • 年月日
      20101121-20101124
  • [学会発表] レーザプラズマ同期CVDによる新規構造BNの作製/New Phases of Boron Nitride Grown by Laser-Plasma Synchronous Chemical Vapor Deposition2010

    • 著者名/発表者名
      小松正二郎, 小林一昭, 長田貴弘, 知京豊裕
    • 学会等名
      ICRP7
    • 発表場所
      Paris, Maison de la Chimie
    • 年月日
      20101004-20101008
  • [学会発表] レーザ・プラズマ同期プロセスによるsp3-結合性BN多形の結晶学的解析/Crystallographic studies on sp3-bonded BN polytypes prepared by laser-plasma synchronous processing2010

    • 著者名/発表者名
      小松正二郎, 小林一昭
    • 学会等名
      2010年秋季 第71回 応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学文教キャンパス
    • 年月日
      20100914-20100917
  • [学会発表] 次世代透明半導体・高密度窒化ホウ素のプラズマ・レーザによる低コスト合成法/Fundamental studies on the low-cost production of high-density BN films by laser-plasma synchronous vapor deposition methods for the next-generation transparent wide bandgap semiconductor materials2010

    • 著者名/発表者名
      小松正二郎, 知京豊裕, 小林一昭
    • 学会等名
      新学術領域「プラズマナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」
    • 発表場所
      京都大学
    • 年月日
      20100820-20100821
  • [学会発表] 次世代透明半導体・高密度窒化ホウ素のプラズマ・レーザによる低コスト合成法/Fundamental studies on the low-cost production of high-density BN films by laser-plasma synchronous vapor deposition methods for the next-generation transparent wide bandgap semiconductor materials2010

    • 著者名/発表者名
      小松正二郎, 知京豊裕, 小林一昭
    • 学会等名
      新学術領域「プラズマナノ界面の相互作用に関する学術基盤の創成」
    • 発表場所
      熱海 南明ホテル
    • 年月日
      20100515-20100516
  • [学会発表] 30H-AlNポリタイプの第一原理計/First-principles study of 30H-AlN polytypes2010

    • 著者名/発表者名
      小林一昭、小松正二郎
    • 学会等名
      第19回シリコンカーバイド(SiC)及び関連ワイドギャップ半導体研究会
    • 発表場所
      つくば国際会議場(エポカルつくば),茨城県つくば市
    • 年月日
      2010-10-21
  • [学会発表] 高密度窒化ホウ素の紫外光励起を伴う(プラズマ支援)化学的気相蒸着による成長とその電子材料への応用 Photo-assisted CVD of dense BN : the growth mechanism and applications2010

    • 著者名/発表者名
      小松正二郎
    • 学会等名
      九州表面・真空研究会2010(兼)第15回九州薄膜表面研究会
    • 発表場所
      九州大学 伊都キャンパス(招待講演)
    • 年月日
      2010-06-12

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公開日: 2012-07-19  

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