複合原子層の界面特性理解と原子層デバイスへの応用

2015 年度 実績報告書

• 研究領域: 原子層科学
• 研究課題/領域番号: 25107004
• 研究機関: 東京大学
• 研究代表者: 長汐 晃輔 東京大学, 大学院工学系研究科(工学部), 准教授 (20373441)
• 研究分担者: 長谷川 雅考 国立研究開発法人産業技術総合研究所, その他部局等, 研究員 (20357776) ; 上野 啓司 埼玉大学, 理工学研究科, 准教授 (40223482) ; 塚越 一仁 国立研究開発法人物質・材料研究機構, その他部局等, その他研究員 (50322665)
• 研究期間 (年度): 2013-06-28 – 2018-03-31
• キーワード: 層状物質 / 複層化 / 輸送特性 / トップゲート

研究実績の概要

(1)グラフェンを用いた有機EL素子応用には、グラフェンの低抵抗化と仕事関数制御が重要である。ドーパント材料として塩化金を選択肢，低抵抗化を確認，UVオゾン処理によりホール注入層であるPEDOT:PSSの濡れ性を向上させた。以上の技術を用いて、PEN基板上にグラフェンを転写して高分子有機EL素子の作製を試み、最大で8,000 cd/m2 @15 Vと輝度の格段の向上に成功した。
(2)トップゲート誘電体層形成／素子封止用ALD装置の自作，立ち上げを行い，MoSe2およびInSe薄片を用いたトップゲートFETの動作を実現した。また黒リンFETにおいて，ALD成長したAl2O3膜が素子保護膜として有効であることを示した。またα(2H)-MoTe2薄片を用いたFETのガスセンサ応用を試み，両極動作MoTe2-FETによるNO2ガスの検出に成功した。
(3)2H-type α-MoTe2を用いたTFTを作製し、原子膜電気伝導への分子吸着による伝導変調を調べた。計測はノイズ分析法により、通常の伝導素子は周波数に対して1／f特性を有する。 本素子でも真空中では同様の特性を示すが、測定チャンバに空気を導入すると、ノイズ強度が15桁上昇して1／f特性が消失し、ゆう端数依存性がなくなる。さらに、導電度変化が2つの抵抗値の間で入れ替わるランダムテレグラフノイズが観測されるようになった。これは、TFTが１つの分子の吸着に対して感度を示していることであり、超高感度のセンサーとしての応用展開が期待できる結果を得た。
(4)h-BNの絶縁破壊電界の結晶方位依存性を調べた結果，層に垂直方向には12MV/cm，層に平行の場合は，4MV/cmと3倍程度の異方性を確認した．これは，面内に結合を集中させることにより，層に垂直方向にのみ破壊電界強度が増加しているためであると理解できる．

現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

グラフェンからTMDC，さらに酸化物系等様々な2次元系に研究が順調に進展しているため．また，デバイス作製におけるプロセスの確立が順調に進んでいる．

今後の研究の推進方策

領域会議における班会議をうまく活用し，班内の問題点を確認・解決することで研究の速度を速める．

研究成果

• [国際共同研究] Columiba univ/Cornell/UC Berkeley(米国)
  • 国名: 米国
  • 外国機関名: Columiba univ/Cornell/UC Berkeley
• [国際共同研究] Univ Cambridge(英国)
  • 国名: 英国
  • 外国機関名: Univ Cambridge
• [国際共同研究] Korea Institute for Advanced Study(韓国)
  • 国名: 韓国
  • 外国機関名: Korea Institute for Advanced Study
• [国際共同研究] National University of Singapore(シンガポール)
  • 国名: シンガポール
  • 外国機関名: National University of Singapore
• [国際共同研究] CNRS(スイス)
  • 国名: スイス
  • 外国機関名: CNRS
• [国際共同研究]
  • 他の国数: 2
• [雑誌論文] Evidence for a fractional fractal quantum Hall effect in superlattices (2015)
  • 著者名/発表者名: L. Wang, Y. Gao, B. Wen, Z. Han, T. Taniguchi, K. Watanabe, M. Koshino, J. Hone, and C. R. Dean
  • 雑誌名: Science 巻: 350(6265) ページ: 1231-1234
  • DOI: DOI:10.1126/science.aad2102
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Generation and detection of pure valley current by electrically induced Berry curvature in bilayer (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. Shimazaki, M. Yamamoto, I. V. Borzenets, K. Watanabe, T. Taniguchi, and S. Tarucha
  • 雑誌名: Nature Physics 巻: 11(12), ページ: 1032-1036
  • DOI: DOI:10.1038/NPHYS3551
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Growth and Optical Properties of High-Quality Monolayer WS2 on Graphite (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. Kobayashi, S. Sasaki, S. Mori, H. Hibino, Z. Liu, K. Watanabe, T. Taniguchi, K. Suenaga, Y. Maniwa, and Y. Miyata
  • 雑誌名: ACS Nano 巻: 9(4) ページ: 4056-4063
  • DOI: DOI:10.1021/acsnano.5b00103
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Imaging ballistic carrier trajectories in using scanning gate microscopy (2015)
  • 著者名/発表者名: S. Morikawa, Z. Dou, S.-W. Wang, C. G. Smith, K. Watanabe, T. Taniguchi, S. Masubuchi, T. Machida, and M. R. Connolly
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 107(24) ページ: 243102
  • DOI: DOI:10.1063/1.4937473
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Ballistic transport in antidot lattices (2015)
  • 著者名/発表者名: R. Yagi, R. Sakakibara, R. Ebisuoka, J. Onishi, K. Watanabe, T. Taniguchi, and Y. Iye
  • 雑誌名: Phys. Rev. B, 巻: 92(19), ページ: 195406
  • DOI: DOI:10.1103/PhysRevB.92.195406
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Edge-channel interferometer at quantum Hall pn junction (2015)
  • 著者名/発表者名: S. Morikawa, S. Masubuchi, R. Moriya, K. Watanabe, T. Taniguchi, and T. Machida
  • 雑誌名: Appl. Phys. Lett. 巻: 106(18) ページ: 183101
  • DOI: DOI:10.1063/1.4919380
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Edge-Channel Transport of Dirac Fermions in Quantum Hall Junctions (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Machida, S. Morikawa, S. Masubuchi, R. Moriya, M. Arai, K. Watanabe, and T. Taniguchi
  • 雑誌名: J. Phys. Soc. Jpn. 巻: 84(12) ページ: 121007
  • DOI: DOI:10.7566/JPSJ.84.121007
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Parity effect of bipolar quantum Hall edge transport around antidots” S. Matsuo (2015)
  • 著者名/発表者名: S. Matsuo, S. Nakaharai, K. Komatsu, K. Tsukagoshi, T. Moriyama, T. Ono, K. Kobayashi
  • 雑誌名: Scientific Reports 巻: 5 ページ: 11723
  • DOI: DOI:10.1038/srep11723
  • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Molecular Self-Assembly in a Poorly Screened Environment: F4tcnq on /BN (2015)
  • 著者名/発表者名: H.-Z. Tsai, A. A. Omrani, S. Coh, H. Oh, S. Wickenburg, Y.-W. Son, D. Wong, A. Riss, H. S. Jung, G. D. Nguyen, G. F. Rodgers, A. S. Aikawa, T. Taniguchi, K. Watanabe, A. Zettl, S. G. Louie, J. Lu, M. L. Cohen, and M. F. Crommie
  • 雑誌名: ACS Nano 巻: 9 ページ: 12168-12173
  • DOI: DOI:10.1021/acsnano.5b05322
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Exciton Energy-Momentum Map of Hexagonal Boron Nitride (2015)
  • 著者名/発表者名: G. Fugallo, M. Aramini, J. Koskelo, K. Watanabe, T. Taniguchi, M. Hakala, S. Huotari, M. Gatti, and F. Sottile
  • 雑誌名: Phys. Rev. B 巻: 92 ページ: 165122
  • DOI: DOI:10.1103/PhysRevB.92.165122
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Origin of Noise in Layered MoTe2 Transistors and its Possible Use for Environmental Sensors (2015)
  • 著者名/発表者名: Y.-F. Lin, Y. Xu, C.-Y. Lin, Y.-W. Suen, M. Yamamoto, S. Nakaharai, K. Ueno, K. Tsukagoshi
  • 雑誌名: Adv. Mater. 巻: 27(42) ページ: 6612-6619
  • DOI: DOI:10.1002/adma.201502677
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Fully dry PMMA transfer of on h-BN using a heating/cooling system (2015)
  • 著者名/発表者名: T. Uwanno, Y. Hattori, T. Taniguchi, K. Watanabe and K. Nagashio
  • 雑誌名: 2D mater. 巻: 2 ページ: 041002
  • DOI: DOI:10.1038/srep15789
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Gap state analysis in electric-field-induced band gap for bilayer" (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Kanayama, and K. Nagashio
  • 雑誌名: Sci. Rep. 巻: 5 ページ: 15789
  • DOI: DOI:10.1038/srep15789
  • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Subthreshold transport in mono- and multilayered MoS2 FETs (2015)
  • 著者名/発表者名: N. Fang, K. Nagashio, and A. Toriumi
  • 雑誌名: Appl. Phys. Exp. 巻: 8 ページ: 065203
  • DOI: DOI:10.7567/APEX.8.065203
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Improvement of device performance of polymer organic light-emitting diodes on smooth transparent sheet with films synthesized by plasma treatment (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. Okigawa, W. Mizutani, K. Suzuki, M. Ishihara, T. Yamada and M. Hasegawa
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 54 ページ: 095103
  • DOI: DOI:10.7567/JJAP.54.095103
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Introduction to the Growth of Bulk Single Crystals of Two-Dimensional Transition-Metal Dichalcogenides [Review] (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Ueno
  • 雑誌名: Journal of the Physical Society of Japan 巻: 84 ページ: 121015
  • DOI: DOI:10.7566/JPSJ.84.121015
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Carrier Injection and Scattering in Atomically Thin Chalcogenides [Review] (2015)
  • 著者名/発表者名: S.-L. Li, K.Tsukagoshi
  • 雑誌名: Journal of the Physical Society of Japan 巻: 84 ページ: 121011
  • DOI: DOI:10.7566/JPSJ.84.121011
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Large-Area Synthesis of High-Quality Uniform Few-Layer MoTe2" (2015)
  • 著者名/発表者名: L. Zhou, K. Xu, A. Zubair, A. Liao, W. Fang, F. Ouyang, Y.-H. Lee, K. Ueno, R. Saito, T. Palacios, J. Kong, and M. S. Dresselhaus
  • 雑誌名: J. Am. Chem. Soc. 巻: 137 ページ: 11892-11895
  • DOI: DOI:10.1021/jacs.5b07452
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Edge Mixing Dynamics in p-n Junctions in Quantum Hall Regime (2015)
  • 著者名/発表者名: S. Matsuo, S. Takeshita, T. Tanaka, S. Nakaharai, K. Tsukagoshi, T. Moriyama, T. Ono, K. Kobayashi
  • 雑誌名: Nat. Commun. 巻: 6 ページ: 8066/1-6
  • DOI: DOI:10.1038/ncomms9066
  • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Changes in structure and chemical composition of α-MoTe2 and β-MoTe2 during heating in vacuum conditions (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Ueno and K. Fukushima
  • 雑誌名: Appl. Phys. Express 巻: 8 ページ: 095201/1-4
  • DOI: DOI:10.7567/APEX.8.095201
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Parity effect of bipolar quantum Hall edge transport around antidots (2015)
  • 著者名/発表者名: S. Matsuo, S. Nakaharai, K. Komatsu, K. Tsukagoshi, T. Moriyama, T. Ono, K. Kobayashi
  • 雑誌名: Scientific Reports 巻: 5 ページ: 11723
  • DOI: DOI:10.1038/srep11723
  • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Electrostatically Reversible Polarity of Ambipolar a-MoTe2 Transistors (2015)
  • 著者名/発表者名: S. Nakaharai, M. Yamamoto, K. Ueno, Y-F Lin, S-L Li, K. Tsukagoshi
  • 雑誌名: ACS Nano 巻: 9(6) ページ: 5976-5983
  • DOI: DOI:10.1021/acsnano.5b00736
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Atomic layer deposition of Y2O3 on h-BN for a gate stack in FETs (2015)
  • 著者名/発表者名: N. Takahashi, T. Taniguchi, K. Watanabe, and K. Nagashio
  • 雑誌名: Nanotechnology 巻: 26(17) ページ: 175708
  • DOI: DOI:10.1088/0957-4484/26/17/175708
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Tunable Phonon Polaritons in Atomically Thin Van Der Waals Crystals of Boron Nitride (2015)
  • 著者名/発表者名: S. Dai, Z. Fei, Q. Ma, A. S. Rodin, M. Wagner, A. S. Mcleod, M. K. Liu, W. Gannett, W. Regan, K. Watanabe, T. Taniguchi, M. Thiemens, G. Dominguez, A. H. C. Neto, A. Zettl, F. Keilmann, P. Jarillo-Herrero, M. M. Fogler, and D. N. Basov
  • 雑誌名: Science 巻: 343 ページ: 1125-1129
  • DOI: DOI:10.1126/science.1246833
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Self-limiting layer-by-layer oxidation of atomically thin WSe2 (2015)
  • 著者名/発表者名: M. Yamamoto, S.Dutta, S.Aikawa, S.Nakaharai, K.Wakabayashi, M.S. Fuhrer, K.Ueno, K.Tsukagoshi
  • 雑誌名: Nano Letters 巻: 15 ページ: 2067-2073
  • DOI: DOI:10.1021/nl5049753
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Wafer Scale Fabrication of Transistors using CVD-Grown and its Application to Inverter Circuit (2015)
  • 著者名/発表者名: S. Nakaharai, T. Iijima, S. Ogawa, K. Yagi, N. Harada, K. Hayashi, D. Kondo, M. Takahashi, S.-L. Li, K. Tsukagoshi, S. Sato, N. Yokoyama
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 54 ページ: 04DN06/1-4
  • DOI: DOI:10.7567/JJAP.54.04DN06
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Electrical properties and domain sizes of films synthesized by microwave plasma treatment under a low carbon concentration (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. Okigawa, R. Kato, M. Ishihara, T. Yamada, M. Hasegawa
  • 雑誌名: Carbon 巻: 82 ページ: 60
  • DOI: DOI:10.1016/j.carbon.2014.10.029
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Layer-by-Layer Dielectric Breakdown of Hexagonal Boron Nitride (2015)
  • 著者名/発表者名: Y. Hattori, T. Taniguchi, K. Watanabe and K. Nagashio
  • 雑誌名: ACS nano 巻: 9 ページ: 916
  • DOI: DOI:10.1021/nn506645q
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] Behavior of Li on graphene surfaces observed using high-resolution ERDA (2015)
  • 著者名/発表者名: M. Nikko, K. Nakajima, M. Hasegawa, K. Kimura
  • 雑誌名: Nucl. Instrum. & Methods 巻: B371 ページ: 290-293
  • DOI: DOI:10.1016/j.nimb.2015.08.083
  • 査読あり / 謝辞記載あり
• [学会発表] Layered Chalcogenide Materials: Basic Properties and Application to Atomic-layer Electronics (2016)
  • 著者名/発表者名: Keiji Ueno
  • 学会等名: 8th Int. Symp. on Adv. Plasma Sci. & its Appl. for Nitrides and Nanomater. (ISPlasma2016) / 9th Int. Conf. Plasma-Nano Technology and Science (ICPLANTS2016)
  • 発表場所: Nagoya, Japan
  • 年月日: 2016-03-10 – 2016-03-10
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Atomically thin hetero-structural semiconductors (2016)
  • 著者名/発表者名: Kazuhito Tsukagoshi
  • 学会等名: The 1st International Symposium of Applied Physics & Single-nano Excellent-core in JAIST
  • 発表場所: Ishikawa, Japan
  • 年月日: 2016-03-02 – 2016-03-03
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Graphene synthesis by plasma process towards high-throughput production (2015)
  • 著者名/発表者名: M. Hasegawa, R. Kato, Y. Okigawa, S. Minami, M. Ishihara, T. Yamada, W. Mizutani
  • 学会等名: EMN Hong Kong Meeting
  • 発表場所: Hong Kong, China
  • 年月日: 2015-12-10 – 2015-12-10
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Graphene field effect transistor (2015)
  • 著者名/発表者名: Kosuke Nagashio
  • 学会等名: UTokyo-NTU joint conference at UTokyo 2015
  • 発表場所: Tokyo univ, Tokyo, Japan
  • 年月日: 2015-12-09 – 2015-12-09
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Graphene field effect transistor application (2015)
  • 著者名/発表者名: Kosuke Nagashio
  • 学会等名: 1st Japan-EU workshop on graphene and related 2D materials
  • 発表場所: Sapia tower, Tokyo, Japan
  • 年月日: 2015-11-02 – 2015-11-02
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Atomically thin semiconducting channels (2015)
  • 著者名/発表者名: Kazuhito Tsukagoshi
  • 学会等名: 1st Japan-EU Workshop on Granphene and Related 2D Materials
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2015-10-31 – 2015-11-02
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] High-throughput synthesis of graphene by plasma assistance (2015)
  • 著者名/発表者名: M. Hasegawa
  • 学会等名: 1st Japan-EU Workshop on Graphene and Related 2D Materials
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2015-10-31 – 2015-10-31
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Synthesis of Graphene Transparent Conductive Films toward Large Area Flexible Devices (2015)
  • 著者名/発表者名: M. Hasegawa, R. Kato, Y. Okigawa, S. Minami, M. Ishihara, T. Yamada, W. Mizutani
  • 学会等名: GRAPCHINA 2015
  • 発表場所: Quingdao, China
  • 年月日: 2015-10-29 – 2015-10-29
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Development of graphene and related materials in TASC (2015)
  • 著者名/発表者名: M. Hasegawa
  • 学会等名: Graphene Canada 2015
  • 発表場所: Montreal, Canada
  • 年月日: 2015-10-15 – 2015-10-15
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Atomically-thin Semiconductors (2015)
  • 著者名/発表者名: Kazuhito Tsukagoshi
  • 学会等名: International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2015)
  • 発表場所: Sapporo, Japan
  • 年月日: 2015-09-28 – 2015-09-30
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Layer-by-layer dielectric breakdown of hexagonal Boron Nitride (2015)
  • 著者名/発表者名: Kosuke Nagashio
  • 学会等名: 11th Topical workshop on Heterostructure Microelectronics
  • 発表場所: Hida Hotel Plaza, Takayama, Japan
  • 年月日: 2015-08-26 – 2015-08-26
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Synthesis of Flexible Graphene Transparent Conductive Films by Using Plasma Technique (2015)
  • 著者名/発表者名: M. Hasegawa, R. Kato, Y. Okigawa, S. Minami, M. Ishihara, T. Yamada
  • 学会等名: The 15th International Meeting on Information Display (iMiD 2015)
  • 発表場所: Daegu, Korea
  • 年月日: 2015-08-19 – 2015-08-19
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Ａtomically thin semiconducting channels for future nano-electoronics (2015)
  • 著者名/発表者名: Kazuhito Tsukagoshi
  • 学会等名: AXXIV International Materials Research Congress (IMRC 2015)
  • 発表場所: Cancun, Mexico
  • 年月日: 2015-08-16 – 2015-08-20
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Layer-by-layer dielectric breakdown of hexagonal Boron Nitride (2015)
  • 著者名/発表者名: Kosuke Nagashio
  • 学会等名: NanoCarbon workshop of PKU-UTokyo
  • 発表場所: Tokyo, Japan
  • 年月日: 2015-07-21 – 2015-07-21
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Atomically thin semiconducting channels for future nano-electoronics (2015)
  • 著者名/発表者名: Kazuhito Tsukagoshi
  • 学会等名: International Symposium on Physics and Device Applications of Two-dimensional Materials
  • 発表場所: Nanjing, China
  • 年月日: 2015-07-12 – 2015-07-15
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Synthesis of Flexible Graphene Transparent Conductive Films by Using Plasma Technique (2015)
  • 著者名/発表者名: M. Hasegawa, R. Kato, Y. Okigawa, S. Minami, M. Ishihara, T. Yamada
  • 学会等名: The 22nd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices(AM-FPD'15)
  • 発表場所: Kyoto, Japan
  • 年月日: 2015-07-02 – 2015-07-02
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Self-limiting surface oxidation of atomically thin WSe2 Kazuhito Tsukagoshi, Mahito Yamamoto, Sudipta Dutta, (2015)
  • 著者名/発表者名: Katsunori Wakabayashi, Michael S. Fuhrer, Keiji Ueno
  • 学会等名: Taiwan Consortium of Emergent Crystaline Materials (TCECM 2015)
  • 発表場所: Yilan,Taiwan
  • 年月日: 2015-05-29 – 2015-05-30
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Current injection into atomically thin semiconducting single crystals (2015)
  • 著者名/発表者名: Kazuhito Tsukagoshi
  • 学会等名: US/Japan Workshop on 2D Materials
  • 発表場所: Tokyo Institute Technology, Ookayama, Tokyo
  • 年月日: 2015-05-23 – 2015-05-23
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Bilayer graphene field-effect transistors (2015)
  • 著者名/発表者名: Kosuke Nagashio
  • 学会等名: US/Japan Workshop on 2D Materials
  • 発表場所: Institute Technology, Ookayama, Tokyo
  • 年月日: 2015-05-23 – 2015-05-23
  • 国際学会 / 招待講演
• [図書] 「塗布形成グラフェン透明導電膜」 「塗布型透明導電膜の材料開発と成膜・パターン形成技術」第2節 [1] (2015)
  • 著者名/発表者名: 上野啓司
  • 総ページ数: 292
  • 出版者: サイエンス＆テクノロジー
• [図書] 「Graphene/metal contact」 in Frontiers of graphene and carbon nanotubes-Devices and applications (2015)
  • 著者名/発表者名: K. Nagashio, A. Toriumi
  • 総ページ数: pp.53-78.
  • 出版者: Springer
• [備考] 埼玉大学 上野研究室
  • URL: http://surface-www.chem.saitama-u.ac.jp/wiki/
• [備考] 東京大学 長汐研究室
  • URL: http://webpark1753.sakura.ne.jp/nagashio_lab/
• [備考] NIMS 塚越研究室
  • URL: http://www.nims.go.jp/pi-ele_g/