| 研究領域 | 3次元半導体検出器で切り拓く新たな量子イメージングの展開 |
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| 研究課題/領域番号 |
25109002
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| 研究機関 | 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 |
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研究代表者 |
新井 康夫 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 教授 (90167990)
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| 研究分担者 |
三好 敏喜 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 助教 (20470015)
井田 次郎 金沢工業大学, 工学部, 教授 (60506450)
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| 研究期間 (年度) |
2013-06-28 – 2018-03-31
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| キーワード | 半導体 / Silicon On Insulator / 放射線センサー / 先端機能デバイス / 微細加工プロセス |
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| 研究実績の概要 |
今年度は新学術領域で行うSOI Pixelプロセスのウエハ相乗 (Multi Project Wafer : MPW)ランの初めてのものとなり、各計画研究班に参加を呼びかけた結果15検出器の設計が集まった。2014年1月にまとめたデータを半導体プロセス企業に送り、年度内に試作を終えた。試作は４種類のウエハで行い、各チップ毎に切り出し、一部をパッケージに実装後、設計を行った各計画研究班に渡した。
ウエハの１種はSOI層を２重にしたDouble SOIウエハーとし、放射線耐性の向上やクロストークの削減に寄与する効果を確認する為、今後試験を行っていく。
金沢工業大学では、試作したピクセルチップの性能試験のための測定準備を行った。残念ながら半導体パラメータ測定装置が年度内納入が困難なことがわかり、一部予算を繰り越して平成２６年度始めに入手することとなった。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
予定どおりSOI相乗りプロセスを終え、最初のセンサー・チップ試作を終えることが出来た。また、センサーの測定準備も進んだ。
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| 今後の研究の推進方策 |
各研究班において、より良い設計が出来るよう設計教育の機会を設け、若手研究者の育成に努める。また。放射線耐性やクロストーク削減のためのプロセス改良方法を研究し、プロセスに反映させ改良を行う。
また平成２６年度からは新たに公募研究が加わるため、これらの研究者に対するサポートも行う。
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