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2016 年度 実績報告書

SOI 3次元ピクセルプロセスの研究

計画研究

研究領域3次元半導体検出器で切り拓く新たな量子イメージングの展開
研究課題/領域番号 25109002
研究機関大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構

研究代表者

新井 康夫  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 教授 (90167990)

研究分担者 倉知 郁生  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, その他部局等, 特別教授 (00533944)
三好 敏喜  大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, 素粒子原子核研究所, 研究機関講師 (20470015)
井田 次郎  金沢工業大学, 工学部, 教授 (60506450)
研究期間 (年度) 2013-06-28 – 2018-03-31
キーワード半導体 / Silicon On Insulator / 放射線センサ / 先端機能デバイス / 微細加工プロセス
研究実績の概要

第4回目の相乗りプロセス(MultiProject Wafer : MPW)ランを6月に行い、計画研究班及び公募研究班からの25種の設計が持ち寄られ、プロセスを行った。完成したチップは、それぞれの要望に応じてウエハ、ベアチップ、パッケージチップの形で配布した。
これまでのSOI検出器よりも放射線耐性、クロストークを減らした、Double SOIウエハを用いた設計が増えた。また、中国高能研との初めての共同開発検出器として計数型センサCNPIX1も設計した。
検出器性能は試作毎に向上しており、京都大を中心に開発したXRPIX検出器では、遂に当初目標である10電子のノイズレベルを達成した。また、素粒子実験用崩壊点検出器FPIX2では、陽子ビームを用いた実験で世界で初めて1umを切る分解能を示した。金沢工業大学ではSOIの特性を生かしたSuper Steep Transistor(SST)の研究が進み、各種国際会議での発表が行われた。2種類のチップを積層した3次元チップに関しては、CAD設計環境の整備が進み、複雑なチップの積層設計が行えるようになった。
2016年6月には北海道大学で、また11月にはSpring-8において国内研究会を開催し、それぞれ約60名の参加があり、多くの研究発表と活発な議論が行われた。また8月には3回目となるSOI検出器の設計講習会をKEKにおいて開催した。今回は、内容のレベルをやや上げ、設計経験のある人を主な対象とした為、昨年度よりは参加者数は減ったが、それでも約10名の参加があり、技術の取得とともに、親交を深めた。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

各研究班からの設計を集めてチップの製作を行う相乗りプロセス(MPW)を順調に行う事ができている。
特に新たに開発したDouble SOI技術を用いた設計が広がり、放射線耐性やノイズ性能において向上が見られた。
また高密度化を狙った3次元積層チップ、検出器感度を上げる為のSuper Steep Transistorの開発等も順調に研究が進んでいる。
これらの結果、本研究班が中心となって進めているSOIプロセスを用いて製造した他の研究班の検出器も格段の性能向上が見られるようになって来た。
また設計講習会には、検出器設計に加わる若手研究者が多数参加し、活動の幅が広がっている。

今後の研究の推進方策

次年度は領域研究の最終年度であることから、これまでの開発成果をまとめ、今後将来に渡りSOIプロセスを使いやすいものにするための努力を行って行く。平成29年度も設計のノウハウや性能向上の為の講習会を開催し、若手研究者の技術力の向上を図っていく。
さらに、SSTトランジスタや3次元積層技術、放射線耐性の向上、集積回路の高密度化等の新しい課題にチャレンジし、SOI検出器の新たな可能性を広げていく。
平成29年12月には沖縄でSOI検出器に関する国際会議を開催する予定なので、これに向け研究成果をまとめていく。

  • 研究成果

    (19件)

すべて 2017 2016 2014 その他

すべて 国際共同研究 (2件) 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 5件、 オープンアクセス 1件、 謝辞記載あり 4件) 学会発表 (5件) (うち国際学会 2件、 招待講演 1件) 図書 (2件) 備考 (2件) 産業財産権 (3件) (うち外国 2件)

  • [国際共同研究] Institute of High Energy Physics(中国)

    • 国名
      中国
    • 外国機関名
      Institute of High Energy Physics
  • [国際共同研究] AGH-University of Science and Technology/Institute of Nuclear Physics, Krakow(ポーランド)

    • 国名
      ポーランド
    • 外国機関名
      AGH-University of Science and Technology/Institute of Nuclear Physics, Krakow
  • [雑誌論文] SOI Monolithic Pixel Detector Technology2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Arai
    • 雑誌名

      Proceedings of Science

      巻: - ページ: -

    • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Tradeoff Between Low-Power Operation and Radiation Hardness of Fully Depleted SOI pMOSFET by Changing LDD Conditions2016

    • 著者名/発表者名
      Ikuo Kurachi, Kazuo Kobayashi, Marie Mochizuki, Masao Okihara, Hiroki Kasai,Takaki Hatsui, Kazuhiko Hara, Toshinobu Miyoshi, and Yasuo Arai
    • 雑誌名

      IEEE Transactions on Electron Devices

      巻: 63 ページ: 2293-2298

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Development of an X-ray Imaging system with SOI Pixel Detectors2016

    • 著者名/発表者名
      Ryutaro NISHIMURA, Yasuo ARAI, Toshinobu MIYOSHI, Keiichi HIRANO, Shunji KISHIMOTO, Ryo HASHIMOTO
    • 雑誌名

      Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A

      巻: 831 ページ: 49-54

    • DOI

      http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2016.04.036

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Advanced monolithic pixel sensors using SOI technology2016

    • 著者名/発表者名
      Toshinobu Miyoshi, Yasuo Arai, Mari Asano, Yowichi Fujita, Ryutaro Hamasaki, Kazuhiko Hara, Shunsuke Honda, Yoichi Ikegami, Ikuo Kurachi, Shingo Mitsui, Ryutaro Nishimura, Kazuya Tauchi, Naoshi Tobita, Toru Tsuboyama, Miho Yamada
    • 雑誌名

      Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A

      巻: 824 ページ: 439-442

    • DOI

      https://doi.org/10.1016/j.nima.2015.11.109

    • 査読あり / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Super Steep Subthreshold Slope PN-Body Tied SOI FET’s of Ultra Low Drain Voltage=0.1V with Body Bias below 1.0V2016

    • 著者名/発表者名
      Takahiro Yoshida, Jiro Ida, Takashi Horii, Masao Okihara and Yasuo Arai
    • 雑誌名

      Proceedings of IEEE SOI-3D-Subtreshold Microelectronics Unified Conference

      巻: - ページ: 1-3

    • 査読あり
  • [学会発表] SOI ピクセルディテクタ用新型DAQシステムの開発現況について2017

    • 著者名/発表者名
      西村 龍太郎, 新井 康夫, 三好 敏喜, 平野 馨一, 岸本 俊二, 橋本 亮
    • 学会等名
      日本物理学会
    • 発表場所
      大阪大学豊中キャンパス(大阪府・豊中市)
    • 年月日
      2017-03-17
  • [学会発表] CP 法による SOI 裏面界面準位密度の評価2017

    • 著者名/発表者名
      武田 和馬,井田 次郎, 林 拓郎,細野 竜太郎, 新井康夫
    • 学会等名
      応用物理学会
    • 発表場所
      パシフィコ横浜(神奈川県・横浜市)
    • 年月日
      2017-03-16
  • [学会発表] SOI Monolithic Pixel Detector Technology2016

    • 著者名/発表者名
      Yasuo Arai
    • 学会等名
      International workshop on vertex detectors
    • 発表場所
      Isola d'Elba, Italy
    • 年月日
      2016-09-25 – 2016-09-30
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] SOI ピクセルディテクタを用いた放射光用X線計測システムの現況について2016

    • 著者名/発表者名
      西村 龍太郎, 新井 康夫, 三好 敏喜, 平野 馨一, 岸本 俊二, 橋本 亮
    • 学会等名
      日本物理学会
    • 発表場所
      金沢大学(石川県・金沢市)
    • 年月日
      2016-09-13
  • [学会発表] Confirmation of SS=35μV/dec over 3 Decades of Drain Current and Hole Accumulation Effect on PN-Body Tied SOI Super Steep SS FET’s2016

    • 著者名/発表者名
      Takashi Horii, Jiro Ida, Takahiro Yoshida, Masao Okihara and Yasuo Arai
    • 学会等名
      IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP 2016
    • 発表場所
      Honolulu, USA
    • 年月日
      2016-06-12 – 2016-06-13
    • 国際学会
  • [図書] Radiation Imaging Detectors Using Soi Technology2017

    • 著者名/発表者名
      Y. Arai and I. Kurachi
    • 総ページ数
      71
    • 出版者
      Morgan & Claypool Publisher
  • [図書] Radiation Imaging Detectors Using Soi Technology2016

    • 著者名/発表者名
      Y. Arai, Renato Turchetta(Editor)
    • 総ページ数
      306
    • 出版者
      CRC Press
  • [備考] SOI Pixel Detector R&D

    • URL

      http://rd.kek.jp/project/soi/

  • [備考] 3次元半導体検出器で切り拓く新たな量子イメージングの展開

    • URL

      http://soipix.jp/index.html

  • [産業財産権] RADIATION-DAMAGE-COMPENSATION-CIRCUIT AND SOI-MOSFET2016

    • 発明者名
      倉知郁生、新井康夫、山田美帆
    • 権利者名
      倉知郁生、新井康夫、山田美帆
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      PCT/JP2016/079797
    • 出願年月日
      2016-10-06
    • 外国
  • [産業財産権] Semiconductor Device and Method for Manufacturing Semiconductor Device2016

    • 発明者名
      新井康夫、葛西大樹、沖原将生
    • 権利者名
      新井康夫、葛西大樹、沖原将生
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      US2016/0190203 A1
    • 出願年月日
      2016-06-30
    • 外国
  • [産業財産権] 半導体装置およびその製造方法2014

    • 発明者名
      葛西大樹、新井康夫
    • 権利者名
      葛西大樹、新井康夫
    • 産業財産権種類
      特許
    • 産業財産権番号
      特許番号 第6108451
    • 出願年月日
      2014-07-24
    • 取得年月日
      2017-03-17

URL: 

公開日: 2018-01-16  

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