| 研究領域 | 分子アーキテクトニクス：単一分子の組織化と新機能創成 |
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| 研究課題/領域番号 |
25110007
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
松本 和彦 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (80344232)
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| 研究分担者 |
前橋 兼三 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (40229323)
井上 恒一 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (50159977)
大野 恭秀 徳島大学, ソシオテクノサイエンス研究部, 准教授 (90362623)
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| 研究期間 (年度) |
2013-06-28 – 2018-03-31
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| キーワード | グラフェン / 直接成長 / 電界効果トランジスタ / 両極特性 |
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| 研究実績の概要 |
本研究では従来不可能であった絶縁基板上に直接グラフェンを成長する技術を開発して実現し、本研究領域の「分子アーキテクト」の土台となるグラフェンの実用化技術を提供し、グラフェンを電極とした分子デバイスの作製と評価を目的とする。
酸化シリコン基板上に炭素源となるアモルファスカーボンと触媒金属を蒸着し、レーザを走査しながら照射することによって、グラフェンの合成と同時にデバイスを作製することができる。前年度は触媒金属としてニッケルを使用して作製に成功したが、移動度は10以下とグラフェンとしてはかなり低い値であった。今年度は触媒金属としてコバルトを使用し、蒸着金属とアモルファスカーボンの膜厚を最適化することにより、移動度100以上のグラフェンを作製することに成功した。
グラフェンナノギャップ電極に長さ100nmのポリチオフェン分子を修飾し、グラフェンを電極とした有機分子トランジスタを作製し、電気特性の評価を行った。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
前年度のグラフェンをシリコン基板上に直接成長する技術の改善に成功し、グラフェンを電極とした有機分子トランジスタの作製に成功したため。
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| 今後の研究の推進方策 |
有機分子トランジスタの電気測定の結果は物理的に未解明な部分があり、より詳細に測定し、物理現象を解明する必要がある。また有機分子をグラフェンの表面に修飾することによるメモリデバイスやバイオセンサ等の研究を進めていく予定である。
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