| 研究課題/領域番号 |
01304048
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| 研究種目 |
総合研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
小児・社会系歯学
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
森岡 俊夫 九州大学, 歯学部, 教授 (00028721)
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| 研究分担者 |
前田 三男 九州大学, 工学部, 教授 (80037910)
庄司 茂 東北大学, 歯学部, 講師 (10142986)
熊崎 護 大阪歯科大学, 助教授 (80066985)
谷 嘉明 京都大学生体医療工学センター, 教授 (90026881)
松本 光吉 昭和大学, 歯学部, 教授 (70119171)
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| 研究期間 (年度) |
1989 – 1990
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| キーワード | レ-ザ-照射 / 歯系硬組織 / 初期齲蝕 / フッ化物 / 象牙質知覚過敏 / 鎮痛効果 / 歯髄内酵素 / 修復象牙質 |
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| 研究概要 |
1. 初期齲蝕エナメル質への照射とフッ化物の併用
表層下脱灰されたエナメル質は脱灰前に比して粗造な表面性状を有するが、この脱灰エナメル質にレ-ザ-照射を行なうとエナメル質表面は溶融そして再凝固し、新たな表面構造を獲得する。この変化により酸溶液中でのエナメル質の溶解性は低下する。他方、エナメル質の再石灰化に関しては、外界から浸透して作用したフッ素の役割は大である。従ってレ-ザ-照射とAPFの併用により、エナメル質表面に多量のフッ素が取り込まれるため再石灰化は著しく促進される。この促進像はマイクロラジオグラムでも確かめられた。この場合レ-ザ-照射後にAPF処理することにより再石灰化は速やかでかつ高度である。
2.知覚過敏象牙質への照射による鎮痛効果
60mw半導体レ-ザ-を歯頸部象牙質知覚過敏症を有する60症例について照射した。その結果1〜2度の全症例に有効であり、3度の症例中1例には効果がなかった。同様の結果は10mwHeーNeレ-ザ-による照射並びにパレスNdーYAGレ-ザ-についても得られた。これからの結果から今後中出力レ-ザ-の象牙質知覚過敏治療への応用が考えられた。他方、象牙質面にCO|-_<22-|>2レ-ザ-を照射することによってsmearlayerが処理され、象牙細管が封鎮されることが明らかになった。
3. 歯髓内酵素活性に及ぼすレ-ザ-の影響
Na:YAGレ-ザ-照射では歯髓内に修復象牙質の形成は認められなかったが、CO|-_<22-|>2レ-ザ-照射により照射2週間後に照射部直下の歯髓内に修復象牙質が大量の形成され、照射後4週間では歯冠歯髓腔全体が修復象牙質によって埋ることがラット実験で明らかになった。
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