| 研究分担者 |
石川 琢磨 いわき明星大学, 理工学部. 物性学科, 助教授 (80016138)
高重 正明 いわき明星大学, 理工学部. 電子工学科, 教授 (70114527)
吉田 喜孝 いわき明星大学, 理工学部. 物性学科, 助教授 (20107444)
沢田 正三 いわき明星大学, 理工学部. 電子工学科, 教授 (60015998)
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| 研究概要 |
本年度は当研究課題研究の最後年に当るので、研究対称物質の試作や測定準備等を収束し,手をひろげたそれぞれのテ-マについて成果を上げるよう努力した。(1)金属超格子,(2)金属酸化物,(3)金属ハロゲン化物について遂次的に研究実績を要約する。
(1)金属超格子としてはEuーSr系を研究した。きわめて高活性の膜であるがBaF_2(又はCaF_2)を上面にプロテクト膜として電子衝撃蒸着することで略安定化させた。エピタキシル性がBaF_2(111)面上の成長でえられた。この膜の1つはキュ-リ-点ー2.1Kのキュ-リ-ワイス則に従う磁性を示し,低温でスピンオ-ダ-(フエロ的)が見出された。
(2)金属酸化物として,CuO_2系超伝導酸化物について,酸素濃度制御のための熱処理方法を確立した。すなわちY_1Ba_2Cu_3Oy系の代表的酸化物超伝導物質のTcに重要な因子であるy値が簡便に精度よく制御される焙燒・急冷処理法を見出した。またY系およびBi系酸化物超伝導体のマイクロ液における電気伝導につき詳しく研究し,直流法と比較した。直流とちがい粒界が抵抗に決定的影響を及ぼすことがない。表面抵抗Rsの異常が見出され,有効表面積の異常な大きさ等と関係すること等を明らにした。
(3)金属ハロゲン化物として,半金属グラファイトを母結晶とし,ハロゲン等としてBr_2,ICl及びGaCl_3,をインタ-カレ-トしたグラファイト層間化合物(GIC)を合成研究した。Br_2/ICLーGlCではCCl_4適当に希釈したBr_2,ICL溶液上の蒸気圧にかざした母結晶のホ-ル効果等をinーsituに飽和するまで測定し,結果の解析からインタ-カレ-ションに伴う正孔・伝導電子濃度の変化の様子を明らかにした。GaCl_3ーGlCについてはCl_2ガスと共封し,室温ですでに第1ステ-ジが合成された。これを排気しつつ数10℃に熱処理して種々の高ステ-ジを合成した。各ステ-ジについて電気的性質を測定しつつあり,代表者の提唱する伝導度のステ-ジ依存理論を検証する。
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