| 研究課題/領域番号 |
01460072
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| 研究種目 |
一般研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
生駒 俊明 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (80013118)
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| 研究分担者 |
栗原 由紀子 東京大学, 生産技術研究所, 助手 (90013200)
斎藤 敏夫 東京大学, 生産技術研究所, 助手 (90170513)
平川 一彦 東京大学, 生産技術研究所, 助教授 (10183097)
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| 研究期間 (年度) |
1989 – 1990
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| キーワード | 集束イオンビ-ム / 量子細線 / 電子波干渉効果 / AlGaAs / 砒化ガリウム / 電子散乱 |
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| 研究概要 |
1次元、0次元系などの低次元物性をデバイスに応用するには、任意の形状の量子細線構造を作る技術を確立し、低次元性を制御性よく実現する手段を確保する必要がある。低次元電子系物性もそのような構造の中で研究することによって初めて理解が深められる。以上を踏まえ本研究では、(1)半導体中の電子波長と同等の大きさの量子細線デバイス構造を制御性よく作製する集束イオンビ-ム打ち込みと加工技術の確立、(2)上記を用いて作った様々な形状の量子細線中の電子輸送現象の解明、を目的とする。本年度は、集束イオンビ-ム打ち込みにより作製した量子細線の境界における電子散乱の研究を行い、次の結果を得た。
FIBシングルスキャンで露光したPMMAのメタラジカルな境界を、STMを用いて直接に観察した。境界にはイオン打ち込み間隔に対応する周期的ゆらぎが観察された。
選択ド-ムAlGaAs/Gaas基板にFIB打ち込みにより、inーplaneーgate 細線を作製し、inーplaneーgate を用いてキャリア密度及び細線幅を変化させ、スペキュラリティファクタpを系統的に調べた。pは、線幅の変化にともない、0から0.85まで変化した。境界近くの拡散的散乱要因は、イオン打ち込み位置から、0.9μmに渡って空間的に分布している。
ショットキ-ゲ-ト細線を作製し、ゲ-トを用いて、細線幅は一定に保ったまま、キャリア密度を変化させ、pを系統的に調べた。pはキャリア密度によらず、ほぼ0.6で一定であり、これから境界付近の拡散的散乱要因は、波長依存性のないδ関数的なディ-プレベルポテンシャルであり、イオン打ち込みの際に導入された点欠陥であろうと考えられる。
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