シリコン結晶表面に形成される薄い自然酸化膜に関する研究

1989 年度 実績報告書

• 研究課題/領域番号: 01550252
• 研究機関: 法政大学
• 研究代表者: 原 徹 法政大学, 工学部, 教授 (00147886)
• キーワード: シリコン酸化膜 / シリコン表面 / VLSIプロセス技術 / 自然酸化膜評価法 / 自然酸化膜除去法

研究概要

シリコン表面に形成される自然酸化膜は従来のアルミ電極技術では除去が容易であったが、起LSIでは、この除去ができないため、深刻な問題となっている。
本年度はシリコン表面の洗浄後直ちに形成されるごく薄い自然酸化膜に関し下記の研究を行った。
1)従来は10〜20Åのごく薄い酸化膜に対する評価法が確立されていなかったが、新たに購入した薄膜X線回折装置(アタチメント)を用いた評価法を確立した。
2)この評価結果と電子線回折、透過型電子顕微鏡、グランシングアングルRBS法などの物理的な評価結果との相関関係を現在求めつつある。
3)シリコン表面にアイランド状に形成された自然酸化膜量をこの表面にアルミ電極を堆積、ノンアロイオ-ミック電極のコンタクト抵抗値から、定量的に評価する方法を確立した。
4)この電極のシンタになって生じるアルミ-シリコン酸化膜の還元反応の詳細をコンタクト抵抗値、界面反応の解析を行った。

研究成果

• [文献書誌] Tohru HARA: "Sputtered Tungsten Silicides Deposited at Different Pressures" J.of Electrochemical Society. 136. 1174-1177 (1989)
• [文献書誌] Tohru HARA: "Deposition and Properties of Dichlorosilane Tungsten Silicide" J.of Electrochemical Society. 136. 1178-1182 (1989)
• [文献書誌] Tohru HARA: "Tungsten Silicide Barrier Layers in Aluminum Contact Systems" Thin Solid Films. 177. 9-16 (1989)
• [文献書誌] Tohru HARA: "Properties of CVD WSix/GaAs Schottky Barrier" Physica Status solidi(a). 113. 459-466 (1989)
• [文献書誌] Tohru HARA: "Properties of Sputtered Tungsten Silicides Deposited with Different Argon Pressures" Nuclear Instruments and Methods in Physic Research.B39. 302-305 (1989)
• [文献書誌] Tohru HARA: "Damage Formed by Ion Implantation in Si by Displaced Atom Density and Thermal Wave Signal" Applied Physics Letters. 55. 1315-1317 (1989)
• [文献書誌] Tohru HARA: "Damage formed by Electron Cyclotron Resonance Plasma Etching on Gallium Arsenide Surface" J of Applied Physics. 65. (1990)
• [文献書誌] Tohru HARA: "Low Dose Ion Implantation Monitor by Thermal Wave Signal lntensity Measurement" Proc.of 8th Symp.Ion Beam Technology Hosei University. 8. 73-78 (1989)
• [文献書誌] Tohru HARA: "Precipitation of Excess Si licon from Si rich tungsten Silicide Deposited by Dichlorosilane Reduction of Tungsten Hexafluoride" Proc.of 8th Symp.Ion Beam Technology in Hosei University. 8. 103-108 (1989)
• [文献書誌] Tohru HARA: "Titanum Nitride Barrier Metal for Al/TiN/Si Ohmic Contact Systems" Proc.of 8th Symp.Ion Beam Technology in Hosei University. 8. 108-113 (1989)
• [文献書誌] Tohru HARA: "Interfacial Reaction of Ta and Si rich Tantalum Silicides with Si Substrate" J of Applied Physics. 65. (1990)
• [文献書誌] Tohru HARA: "Monitoring of Low Dose Ion Implantation in Silicon" Electron Devices Letters. (1990)
• [文献書誌] Tohru HARA: "Studies of Ion Implantation Damage and its Annealing Kinetics Using The Thermal Wave Method" Symp of Si Materials and Process,Electrochemical.Society. 5. (1990)
• [文献書誌] Tohru HARA: "Properties and Barrier Effect of TiN" J of Electrochem.Soc.137. (1990)
• [文献書誌] Tohru HARA: "Stress of Tungsten Silicides" J of Electrochemical Society.
• [文献書誌] Tohru HARA: "Monitoring of Dose in Low Dose Ion Implantation" Nuclear Instruments and Methods in Physic Research.B44. (1990)