| 研究概要 |
平成3年度では、この研究課題で,1.X線異常散乱法の超イオン導電体への適用,2.銅ーハロゲンーカルコゲン系超イオン導電体の構造解析,3.陽イオン導電型超イオン導電体における低エネルギ-励起の3つの研究対象をとりあげた。1.ではX線異常散乱法を銅イオン伝導型超イオン導電体CuBrSe_3に適用し、Cu原子吸収端近傍での散乱強度のX線入射波長依存性を測定した。超イオン導電体では導電イオンの静的分布として無秩序分布となる場合が多い。ただしすべての物質が必ずしも無秩序分布となるのでなく、基本的に秩序分布モデルで散乱スペクトルを説明できる物質があることが知られている。最近我々が構造解析を行ったCuBrSe_3における拡散イオンの静的分布を検証するため、高エネルギ-研SORを利用し散乱実験を行った。デ-タは現在解析中である。2.では試料合成後ほぼ20年間詳細な原子位置等の構造解析が行われていなかった銅ーハロゲンーカルコゲン系超イオン導電体CuBrSe_3のX線回折実験を行い、結晶系、空間群、詳細な原子位置等を決定した。また銅ーハロゲンーカルコゲン系超イオン導電体の室温以下の室温以下での相転移の存在の確認を比熱およびX線回折測定を初めて行い、CuBrTe,CuITe,CuITe_2に低温相が存在することを見いだした。3.では粉末CuI試料を用いて、高エネルギ-研KENS(パルス中性子研究施設)に設置されているLAMー40分光器を用いた中性子非弾性散乱実験を行った。この実験から従来我々がCuイオン導電体で新たに見いだした約3.4meVの分散ないエネルギ-励起がCuIにも存在することを確認し、またその温度依存性を詳細に測定した。この結果を一般化状態密度関数を用いて解析を行った。
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