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1.エッチングプラズマで最も多く使われる分子として、CF_4とC_2F_6を選び、このプラズマの性質解明に重要な電子散乱断面積のうち、全電子散乱断面積測定を、電子エネルギー5〜500eVにわたって実施した。これらの分子については、部分的な研究は報告されているが、プラズマの解明のためには、資料としては不十分なので、系統的研究が必要である。
2.装置は電子直進型で、分子との散乱による透過電子線の減衰を測るものであるが、散乱室内で散乱された電子や、散乱室から漏れ出る標的分子の量もわかるようになっている。装置は高真空の真空槽中に置かれ、油拡散ポンプからの油蒸気の逆拡散はヘリウム冷凍機で阻止し、実験結果の再現性をよくした。
3.CF_4の断面積値は、エネルギー100eV以下では、ほゞ一定(19Å^2)である。100〜500eVでは、エネルギーをE(eV)とすると、173.6/√<E>で与えられる。又、栄(九大工)等が測定した弾性散乱断面積を利用して、非弾性散乱断面積を、20ー500eVにわたって推定した。C_2F_6の場合は、エネルギー90eV以下で、断面積値はほゞ一定(28Å^2)である。それ以上から500eVにわたる値は、280.8/√<E>(Å^2)で与えられる。一方WinterとInokutiは解離断面積を発表しているので、これを利用して、弾性散乱断面積を22ー300eVにわたって推定した。以上で当初の目標は達成された。
4.今後、弾性散乱、振動励起、解離、電離等の断面積測定を系統的に実施する。尚、成果は公表するため、現在準備中である。
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