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アクチナイド化合物の5f電子は遍歴性を示す遷移金属化合物の3d電子と局在性の強い希土類化合物の4f電子の中間的性質を示すことが知られているが、その全容を把握することは物性論の進展のみならず新材料の開発の面からも大きく望まれている。本研究ではアクチナイド化合物で実現されている重い電子系のフェルミ面の構造や有効質量をド・ハ-スーファン・アルフェン(DHVA)効果により明らかにすることを目的としている。それには同効果を30Tに至る定常強磁場で観測する必要がある。そこで磁場発生に本所付属の超伝導材料開発施設に設置してあるハイブリッド・マグネット(HM)を使用することとした。研究を推める上でまずDHVA振動を検出する装置の開発を行った。HMはその特質上600H_2に約50Oeのリップルを含むので、これから逃げるため変調磁場は1KH_2、100Ocとした。また、マシンタイムの制約があるので一度の磁場掃引で4個の試料の信号がとれるようにした。一方、個々の試料は磁場に対して回転できることがフェルミ面を研究する上で欠かせない。この治具は補助金によって作成した。実験はまず装置の性能を知る目的でSmSb_1CeSb、CeAs、とYbAsについて行った。その結果、前の2つの試料について明瞭なDHVA振動を得ることに始めて成功した。但し、20T以上では変調コイルの振動が急激に大きくなることに由来すると見られる偽せの信号が増大し、正しい信号が埋没してしまうことがわかった。この点は改良を要する。
結論。(1)20TまでDHVA効果を測定できた。
(2)試料の回転治具が正常に作動した。
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