| 研究課題/領域番号 |
01850006
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| 研究種目 |
試験研究
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
柊元 宏 東京工業大学, 工学部, 教授 (50013488)
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| 研究分担者 |
安田 隆 東京工業大学, 工学部, 助手 (90182336)
吉野 淳二 東京工業大学, 工学部, 助教授 (90158486)
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| キーワード | エレクトロルミネッセンス / 硫化亜鉛 / 有機金属気相成長 |
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| 研究概要 |
本研究は、ZnS:Tmを発光層とする純青色発光の高輝度EL素子を開発することを目的としている。3年間の研究計画の初年度にあたる平成元年度における研究経過と成果は、以下の通りである。
1.ZnS:Tm薄膜のMOCVD成長
ジメチル亜鉛-ジメチル硫黄付加体および硫化水素を母体原料とする減圧MOCVDにおいて、Tm原料としてジピバロイルメタナ-トツリウムまたはヘキサフロロアセチルアセトナ-トツリウムを使用して均一にTmをド-プしたZnS:Tm膜を成長した。成長層は、室温および低温でTm^<3+>の^1G_4→^3H_6電子遷移に対応する青色のフォトルミネッセンスを示し、これらのTm化合物が有効なド-パントであることを見いだした。
2.EL素子の試作
このようにして作製したZnS:Tm膜を発光層とし、スパッタ法により堆積したTa_2O_5膜を絶縁層に用いて2重絶縁構造のEL素子を試作した。このEL素子は、Tm^<3+>の内核電子遷移に対応する発光を示すが、青色域の輝度はまだ充分ではない。今後、発光層にTmの選択ド-プ構造を導入することにより、本研究で目標としている〜100cd/m^2の輝度を示す青色EL素子の開発に向けて研究を進める予定である。
3.高真空MOCVD装置の設計・作製
エイコ-・エンジニアリング社製のEV-1026型高真空MOCVD装置に、有機金属原料と固体ド-パント原料を導入するための系を設計し、Tmを選択ド-ピングしたZnS薄膜を成長できる高真空MOCVD装置の作製にとりかかる段階にある。
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