| 研究課題/領域番号 |
01850065
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| 研究種目 |
試験研究
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| 研究機関 | 東京工芸大学 |
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研究代表者 |
星 陽一 東京工芸大学, 工学部, 助教授 (20108228)
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| 研究分担者 |
平田 豊明 大阪真空機器製作所, 堺工場・開発部, 研究員
鈴木 英佐 東京工芸大学, 工学部, 講師 (60113007)
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| キーワード | イオンビ-ムデポジッション / スパッタ形イオン源 / 対向タ-ゲット式スパッタ / 酸化物超伝導体 / 薄膜 / イオン源 |
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| 研究概要 |
本研究に関して平成元年度に行なった研究内容をまとめると以下のようになる。
(1)新形スパッタ形イオン源の設計・製作とその動作特性の確認
(a)よりコンパクトでより大電流の取れるイオン源を実現するため、下記のような点を改良した永久磁石内蔵形対向タ-ゲット式スパッタ形イオン源を設計・製作した。
◎高速2次電子閉じ込め用の磁界(約200Oe)を永久磁石を用いて印加できるように改良
◎タ-ゲットを接着したバッキングプレ-トを直接水冷する構造とすることで、より大きな放電電流で動作可能とした。
◎タ-ゲットとして5mm以上の厚さのタ-ゲットを使用できるようにするため、タ-ゲット中央部に直径2cm程度の穴を開け、この穴から出てくる高密度のプラズマからイオンを引き出す方式を採用
(b)製作したイオン源(タ-ゲット径8cm)の動作特性を調べ、イオン電流密度として1mA/cm^2以上、イオンのエネルギ-分布の半値幅【approximately equal】5eV90%以内のイオン密度分布が得られる面積:直径4cmの円内、が実現できるイオン源として動作することを確認した
(2)酸化物超伝導体薄膜の作製
上記イオン源を用いたイオンビ-ムデポジッション法による膜形成に関しては現在準備中であり、デ-タをまとめるところまでは進んでいないが、比較のため、通常のマグネトロンスパッタ法による膜形成の検討を進め、スパッタ中、タ-ゲットから放出される酸素負イオンの基板衝撃の抑制が重要であることを明らかにするとともに、高周波スパッタと直流スパッタによる成膜の違いを調べた。
(3)上記イオン源を用いて窒化鉄薄膜を形成し、良好な特性の膜を得た。
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