| 研究分担者 |
KARL HABERGE フラウンホーファー固体工学研究所, 部長
HEINER RYSSE フラウンホーファー集積回路研究所, エアランゲン大学・所長, 教授
弓場 愛彦 大阪大学, 基礎工学部, 助手 (30144447)
蒲生 健次 大阪大学, 基礎工学部, 教授 (70029445)
難波 進 長崎総合科学大学, 工学部, 教授 (70029370)
RYSSEL Heiner Professor Fraunhofer-Arbeitsgruppe fur Integrierte Schaltungen
HABERGER Karl Fraunhofer-Institute for Festrorpertechnologie
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| 研究概要 |
1.日本側研究者とドイツ側研究者が以下の次世代イオンビームプロセスについて,研究状況および実績を検討し,共同研究を行った。
(1)半導体および金属への高エネルギーイオン注入
(2)斜めイオン注入
(3)マスクレスイオン注入
(4)SIMOX/SOIプロセス
(5)イオン注入ウェルによるソフトエラー耐性構造プロセス
(6)イオンビームミキシングによる局所シリサイド形成プロセス
(7)集束イオンビームによるコンタクトホール形成プロセス
(8)メタル堆積プロセス
(9)エッチングプロセス
(10)超高真空その場プロセス
2.イオンビーム局所分析法による次世代イオンビームプロセスの検証
(1)イオンマイクロプローブアナリシス法の確立
加速器とビームラインの設計検討 エネルギー,イオン種データ収集系開発イメージプロセス技術の確立 RBSマッピング技術の確立 PIXEマッピング技術の確立 チャネリングコントラスト技術の確立 ソフトエラーマッピング技術の確立 中エネルギー散乱分析技術の確立 測定分析誘起欠陥の検証
(2)項目1の各種イオンビームプロセス過程の分析評価
各プロセスに対する分析技術の適応性の検証とプロセスステップの問題点と限界の考察
3.項目1の各種プロセス技術に対するシミュレーション技術に関する考察と開発
(1)イオン注入,ドーピング.拡散,堆積,エッチングの各プロセスに対するドイツ側によるプロセスソフトウェアの適応限界の検証と改良
(2)既存プロセスソフトウェア COMPOSITE(2次元)と,ICECREM(1次元)によるシミュレーション実験をドイツ側と日本側にて行い,その拡張を行った。
4.新プロセス技術のプロセスシミュレーション開発
イオン照射中に堆積を行うダイナミックイオンビームミキシングプロセスをモデル化,シミュレーション技術を日本側とドイツ側の協力により開発
5.超高真空その場プロセスによる新しいデバイスプロセス技術開発
日本側装置による超高真空その場プロセスの適応性と限界の検証およびプロセスの最適化
6.項目1〜5を総括して,極限イオンビームプロセス技術の基礎を確立
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