| 研究概要 |
平成2年度は,Y系及びBi系高温超伝導体の超高圧下成形と,強磁場内圧延を実施するため,先づ原料酸化物の混合,仮焼,破砕による微粉末試料の作製を行った。次いで,1.このY系,Bi系微粉末を立方型超高圧発生装置を用いて,5.4GPaの超高圧下で焼結を行うと共に,それと並行して,2.双ロ-ル液体急冷装置のロ-ル間に磁場・電場が印加が出来るように回路の組込みを行い,強磁場内圧延装置の作製を行った(10月完了)。次で,3.この装置を用いて,Bi系微粉末試料をAg,Au等のシ-スにつめた上で線引きを行い,更に強磁場内圧延を行った。その際1パスの圧下率,温度,中間焼鈍と磁場印加の有無を変数として圧延を実行し,各変数の効果を調べ,高い臨界電流Jcの得られる最適条件を求めた。末だ結論的に言える段階ではないが,中間結果として,室温圧延で,1パスごとの圧下率が小さい方がよく,積算圧延率30%で500Acm^<-2>を越えるJcが得られている。圧延率の増大により今后更に高いJcが期待できる。また,Y系試料の超高圧下焼結においても,5.4GPa下で緻密度と配向性の向上により,Jcが1650A・cm^<-2>程度のものが得られており,今后、期待が持てるようになっている。物性評価は,比重,電気抵抗(R)ー温度(T)特性の測定,結晶の配向性のX線回折による測定,EPMAによる組成分析などによっている。総じて超高圧下焼結によりJcの向上すること,強磁場内圧延により,磁場のない場合に較べ,緻密で配向性がよく,Jcの高いものが得られることが判明してきている。今後,試料の微細化を進めることと,シ-スへの充填率を高めること,シ-スの硬軟二重構造の採用,磁場,電場の増強などを行うと共に,成形品の均質性の向上をも含めて高性能の超伝導体が得られるよう実験を進める所存である。
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