| 研究概要 |
從来のDーD核融合反応断面積のデ-タは重心系のエネルギ-で、6kgV以上の高エネルギ-領域に限られており、これよりも低いエネルギ-領域の核融合反応率の評価は高エネルギ-領域から外挿された断面積の値を用いて行なわれている。最近、低エネルギ-領域のD(^3He,P)^4He反応の断面積が電子のしゃへい効果によって増大すること、低温核融合においてはD(d,p)T反応がD(d,n)^3He反応よりも強く起こることが報告されている。これらの結果は、DーD核融合反応断面積や分岐比が高エネルギ-領域からの外挿値と大きく異なる可能性があることを示唆している。我々は、これらの可能性の有無を調べるために、重心系のエネルギ-で、5keV以下の低エネルギ-領域における核融合反応断面積と分岐比の測定を目的とする研究を行った。
重陽子の入射はコルトロンイオン銃を用いて行った。タ-ゲット試料には厚さ0.5mmの重水素を吸蔵させたTi薄膜(組成:Ti/D=0.92)を用いた。核融合反応生成物であるP,tおよび ^3Heの検出は表面障壁型半導体検出器を用いて行った。
DーD核融合反応の反応率は重陽子エネルギ-の低下に伴い指数関数的に減少するので、重心系のエネルギ-で2.5keV以下の測定には非常な労力を必要とした。低エネルギ-領域の反応率は外挿による予想値よりも10%ほど大きい値が得られたが、Pを生成する反応がnを生成する反応よりも増大する傾向は認められなかった。
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