| 研究分担者 |
掘江 純司 九州大学, 歯学部, 助手 (60209286)
稲井 裕子 九州大学, 歯学部, 助手 (00193540)
於保 孝彦 九州大学, 歯学部, 講師 (50160940)
岩瀬 達雄 九州大学, 歯学部, 講師 (60151734)
田籠 祥子 九州大学, 歯学部, 講師 (20150469)
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| 研究概要 |
1.レ-ザ-照射エナナル質のX線回析
ノ-マルパルスNdーYAGレ-ザ-のエネルギ-密度67〜160J/cm^2でエナメル質に照射し,照射部位のエナメル質を表層より40μmの深さまでスチ-ルバ-を切削し,エナメル質粉末を収集する。この試料を粉砕後X線回析にて分析した。非照射エナメル質を同様の処理をしたものを対照とした。
結果として、2θの回析線は照射エナメル質と非照射エナメル質の間に差異が認められず,上記照射条件によってハイドロキシアパタイト(HA)の結晶構造に変化は生じないことが示された。さらに酸溶液中での脱灰に強い抵抗を示す天然HA(絋石)のX線回析像もヒトエナメル質のそれと基本的には一致していた。
2.レ-ザ-照射がHAに及ぼす影響
ヒトエナメル質がレ-ザ-照射によって耐酸性を獲得するが,エナメル質を構成しているHAがどのような影響を受けるかを検討した。
結果として,エナメル質に耐酸性を付与しうるエネルギ-密度67J〜100J/cm^2においてHA結晶の軸が若千縮少することが示された。即ち,非照射エナメル質で9.450Åであったa軸が,照射エネルギ-密度67J/cm^2で9.448,100J/cm^2で9.440となった。他方,C軸については非照射のHAが6.881Åのものが67〜100J/cm^2の照射によって6.881Åと変化しないことが認められた。
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